14 Mac 2024 — Infineon Technologies AG baru-baru ini melancarkan CoolSiC™ baharu MOSFET 2000 V dalam pakej TO-247PLUS-4-HCC untuk memenuhi permintaan pereka untuk peningkatan ketumpatan kuasa tanpa menjejaskan kebolehpercayaan sistem walaupun dalam keadaan voltan tinggi dan frekuensi pensuisan yang menuntut. MOSFET CoolSiC menawarkan voltan pautan DC yang lebih tinggi supaya kuasa boleh ditingkatkan tanpa meningkatkan arus. Ia adalah peranti karbida silikon diskret pertama dengan voltan pecahan 2000 V di pasaran dan didatangkan dalam pakej TO-247PLUS-4-HCC dengan jarak rayapan 14 mm dan jarak kelegaan 5.4 mm. Dengan kehilangan pensuisan yang rendah, peranti ini sesuai untuk solar (cth penyongsang rentetan) serta sistem penyimpanan tenaga dan aplikasi pengecasan kenderaan elektrik.
Keluarga produk CoolSiC MOSFET 2000 V sangat sesuai untuk sistem pautan DC tinggi dengan sehingga 1500 V DC. Berbanding dengan MOSFET 1700 V SiC, peranti ini juga menyediakan margin voltan lampau yang cukup tinggi untuk sistem DC 1500 V. MOSFET CoolSiC menyampaikan voltan ambang pintu penanda aras 4.5 V dan dilengkapi dengan diod badan yang teguh untuk penukaran keras. Disebabkan sambungan .XT teknologi, komponen menawarkan prestasi terma kelas pertama. Mereka juga sangat tahan terhadap kelembapan.
Sebagai tambahan kepada CoolSiC MOSFETs 2000 V, Infineon tidak lama lagi akan melancarkan diod CoolSiC yang sepadan: Pelancaran pertama ialah portfolio diod 2000 V dalam pakej 247-pin TO-4PLUS pada suku ketiga 2024, diikuti oleh 2000 V Portfolio diod CoolSiC dalam pakej TO-247-2 pada suku akhir 2024. Diod ini amat sesuai untuk aplikasi solar. Portfolio pemandu pintu yang sepadan juga tersedia.
Keluarga produk CoolSiC MOSFET 2000 V tersedia sekarang. Selain itu, Infineon juga menawarkan papan penilaian yang sesuai: EVAL-COOLSIC-2KVHCC. Pembangun boleh menggunakan papan sebagai platform ujian universal yang tepat untuk menilai semua MOSFET dan diod CoolSiC 2000 V dan EiceDRIVER™ Compact Single Channel Isolated Gate Driver 1ED31xx keluarga produk melalui nadi berganda atau operasi PWM berterusan.
Untuk maklumat lanjut, sila lawati www.infineon.com/coolsic-mosfet-discretes.