Modul IGBT Semikron SKiM304GD12T4D: Prestasi Kuasa Lanjutan Modul IGBT Semikron SKiM304GD12T4D mempamerkan ciri-ciri canggih yang disesuaikan untuk aplikasi kuasa lanjutan. Dengan memanfaatkan teknologi Trenchgate, modul ini menawarkan prestasi luar biasa dalam pelbagai senario. Vce(sat) dengan pekali suhu positif memastikan operasi yang stabil berbanding turun naik suhu, manakala keupayaan litar pintasnya yang luar biasa menambah kepelbagaiannya. Ciri-ciri Aplikasi Biasa […]
Toshiba MG200H1AL2 ialah modul IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) teguh yang direka untuk aplikasi pensuisan kuasa tinggi. Berikut ialah gambaran ringkas tentang ciri dan spesifikasi utamanya: Penerangan: MG200H1AL2 ialah modul transistor dengan penarafan semasa 200 Amps dan penarafan voltan 450 Volt. Ia mempunyai berat 210 gram (kira-kira 0.46 lbs), […]
Modul IGBT Starpower GD200HFL120C2S ialah peranti semikonduktor kuasa berprestasi tinggi yang direka untuk pensuisan dan kawalan kuasa yang cekap. Berikut ialah butiran dan ciri utama Modul GD200HFL120C2S IGBT: Penerangan Umum: Modul Kuasa STARPOWER IGBT direka bentuk untuk memberikan kehilangan pengaliran ultra-rendah dan ketahanan litar pintas yang tinggi. Ia disesuaikan untuk aplikasi seperti […]
MDS MDS200A1600V ialah modul IGBT yang terkenal dengan ciri dan spesifikasinya yang menjadikannya sesuai untuk pelbagai aplikasi. Berikut ialah butirannya: Ciri-ciri: Penarafan dan Ciri Maksimum: Modul MDS200A1600V IGBT direka untuk menyediakan pensuisan kuasa dan keupayaan kawalan yang cekap. Ia dicirikan oleh keupayaan pengendalian voltan tinggi dan arusnya, menjadikan […]
Infineon DDB6U205N16L ialah modul IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) dengan penilaian dan ciri maksimum berikut: Sila ambil perhatian bahawa nilai ini mewakili penilaian maksimum mutlak untuk modul DDB6U205N16L IGBT, dan ia disediakan untuk pertimbangan operasi dan keselamatan yang betul dalam pelbagai aplikasi .
Infineon FF400R07KE4 ialah modul dwi IGBT 650 V, 400 A yang dihasilkan oleh Infineon Technologies. Modul ini menampilkan teknologi TRENCHSTOP™ IGBT4 bersama-sama dengan diod terkawal pemancar. Ia direka untuk aplikasi berkuasa tinggi yang memerlukan peningkatan keupayaan voltan menyekat, keupayaan litar pintas tinggi dan prestasi elektrik yang optimum. Modul ini ditempatkan dalam standard […]
Infineon FF400R06KE3 ialah modul IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) yang direka untuk aplikasi pensuisan kuasa tinggi. Ia datang dengan penarafan dan ciri maksimum tertentu yang menjadikannya sesuai untuk pelbagai aplikasi industri dan kawalan kuasa. Berikut ialah spesifikasi dan ciri utama modul FF400R06KE3 IGBT: Penilaian dan Ciri Maksimum: Modul FF400R06KE3 IGBT […]
Infineon #FZ400R17KE3 adalah penting untuk penggunaan yang betul dan untuk mengelakkan kerosakan atau kegagalan. Mari kita lihat setiap penilaian dan ciri maksimum komponen ini:
Fuji 2MBI400VG-060 ialah modul IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) yang direka untuk aplikasi kuasa tinggi yang memerlukan keupayaan pensuisan dan pemacu voltan berkelajuan tinggi. Di bawah ialah ciri, aplikasi dan penilaian maksimum modul ini: Ciri: Aplikasi: Penilaian Maksimum (Tc=25°C melainkan dinyatakan sebaliknya):