TOKIO - Toshiba elektronische Devices & Storage Corporation ("Toshiba") heeft de "TCR3RM-serie" van 32 LDO-regelaars gelanceerd die verbeterde stroomstabilisatie bieden aan gelijkstroomleidingen voor mobiele apparaten zoals smartphones en draagbare apparaten. De verzendingen van de eerste producten in de serie starten vandaag, andere volgen op hun beurt.

De nieuwe TCR3RM-serie combineert een bandgap circuit met een laagdoorlaatfilter dat alleen extreem lage frequenties doorlaat, en een ruisarme, snelle operationele versterker, om een ​​toonaangevende^[1] hoge rimpel-onderdrukkingsratio^[2] en laag uitgangsgeluid spanning.

De 32 producten in de serie hebben een maximale uitgangsstroom van 300 mA en uitgangsspanningen variërend van 0.9 V tot 4.5 V. Klanten kunnen output selecteren spanning per toepassing.

Het pakket is een compact DFN4C-pakket, slechts 1 mm x 1 mm, geschikt voor cameratoepassingen, audiotoepassingen en voor de RF-circuits van voedingskabels in mobiele apparaten die een montage met hoge dichtheid vereisen, zoals smartphones en draagbare apparaten.

Wanneer bij typische LDO-regelaars de frequentie van de ruis op de ingangsspanning hoger is dan 1 kHz, daalt de rimpelonderdrukkingsratio met ongeveer 20 dB voor elke 10 keer hogere frequentie. Voor ruis boven 100 kHz daalt het ongeveer 40 dB bij elke tienvoudige toename. Als gevolg hiervan is de LDO regelaar is mogelijk niet voldoende in staat om ruis van meer dan 100 kHz, gegenereerd door DC-DC-omzettercircuits of soortgelijke circuits, te verwijderen.

De nieuwe producten bieden een ruime rimpelonderdrukkingsverhouding en uitgangsruisspanningseigenschappen, zelfs bij ruisfrequenties van 100 kHz of hoger. Dit draagt ​​bij aan de stabilisatie van voedingskabels, inclusief een hoge nauwkeurigheid van de uitgangsspanning. 

Mobiele toestellen

• smartphones
• Wearable apparaten
• Audiosystemen
• RF-circuits, enz.

• Hoge rimpelonderdrukkingsratio:
  RR = 100dB (typ.) @ F = 1 kHz, V_OUT= 2.8V
  RR = 68dB (typ.) @ F = 100 kHz, V_OUT= 2.8V
• Laag uitgangsruisvoltage: V._NEE= 5 μVrms (typ.) @ 10Hz≤f≤100kHz
• Lage ruststroom: I._{B (AAN)}= 7μA (typ.) @I_OUT= 0mA
• Dun en compact DFN4C-pakket: 1.0 × 1.0 mm, t = 0.38 mm (typ.)