Transistor GaN bidirecional de 100 V comuta trilhos de alimentação

Ele “pode ser empregado em sistemas de gerenciamento de baterias de 48 V ou 60 V, bem como para aplicações de comutação de carga no lado alto em conversores bidirecionais e circuitos de comutação em sistemas de energia”, segundo a empresa, que o vê sendo utilizado em baterias domésticas, carregamento portátil estação, e-scooters e e-bikes.

Chamado de INV100FQ030A, possui dois drenos, uma porta e nenhuma conexão de fonte. Os drenos são simétricos e não há diodos parasitas de dreno a dreno.

A resistência máxima é de 3.2mΩ (tipo 2.5mΩ, +5Vgate, 25A) e pode transportar 100A – tudo a 25°C.

O dispositivo é particularmente adequado para chavear o barramento negativo em uma fonte de alimentação de dois fios, pois está 'ligado' quando a porta está 5V acima de qualquer um dos drenos, e desligado quando a porta está negativa em relação a ambos os drenos ou, como normalmente utilizado, no mesmo potencial de um dreno e negativo do outro. A empresa deu à Electronics Weekly uma descrição detalhada disso quando lançou sua bainha simétrica de 40V de segunda geração.

O limite do portão é normalmente de 1.1 V e pode variar de 800 mV a 2.5 V. Como é habitual com bainhas GaN, a tensão máxima da porta abs é de 6 V – próxima da tensão normal de ativação – o controle preciso da tensão da porta é importante.

Para maior robustez, até 300,000 pulsos dreno a dreno de 5 ms e 120 V podem sobreviver na temperatura operacional máxima de 150°C. A temperatura mínima é de -40°C e a resistência térmica da junção à placa é de 1.92°C/W.

O vazamento dreno para dreno em qualquer direção é normalmente de 1 µA (4 µA no máximo) com a comporta conectada a um dreno e o outro a +80V.

INNDBMS120LS1 é uma placa de demonstração de gerenciamento de bateria que usa oito INV100FQ030A em paralelo

Embora a velocidade de operação não seja discutida, algumas características dinâmicas da porta são: capacitância de entrada de 3.3nF e uma carga total da porta de 90nC (50V, 25A, 5Vgate).

A embalagem é de montagem em superfície de 4 x 6 x 0.85 mm.

Encontre a página do produto de bainha bidirecional INV100FQ030A aqui - clique em 'manual de demonstração' nesta página para esclarecer diagramas de circuito da placa de demonstração (a maior parte deste documento está em chinês).

*esta é uma cópia do link no site da Innoscience