A GaN Systems afirmou que as lâmpadas LED Philips SON-T tubulares de 17 W e 26 W apresentam transistores de potência da GaN Systems. Esses produtos oferecem um design inovador que apresenta um driver inovador baseado em GaN embutido na lâmpada LED, resolvendo os problemas técnicos de aplicação de vidro convencional em uma aplicação de lâmpada LED de alta potência. O resultado é um custo mais baixo, maior potência e uma solução de iluminação LED com maior eficiência energética.
Inicialmente, o design do driver embutido da Signify estava restrito às lâmpadas LED de vidro completo de 8-10W. Para alcançar este projeto para LEDs de watt mais alto, a empresa mudou de silício para semicondutores de potência GaN. Esta inovação em particular gira em torno do PFC AC / DC baseado em GaN o circuito embutido no parafuso E27 na lâmpada. O driver utiliza os transistores de 650 V da empresa (GS-065-004-1-L e GS-065-011-1-L).
Os atributos do GaN, como alta frequência de comutação, juntamente com seu avançado tecnologia e embalagem, permitem que a Signify alcance esse design além das lâmpadas de 8 a 10 W sem se preocupar com compensações de tamanho e desempenho.
Essas novas lâmpadas SON-T LED substituem prontamente as lâmpadas legadas de sódio de alta pressão da Signify. Eles são excelentes para iluminação rodoviária e residencial, instalações esportivas recreativas internas e externas, holofotes decorativos e outras aplicações comerciais e industriais.
“A GaN Systems tem o orgulho de fazer parte dessa inovação de driver de LED com a Signify”, disse Jim Witham, CEO da GaN Systems. “Isso sinaliza a preferência contínua do GaN em mais mercados, bem como a capacidade do GaN de elevar o desempenho a níveis anteriormente inatingíveis em tantas aplicações.”