Comparado com a memória de 236ª geração de 8 camadas, o dispositivo de 286 camadas aumenta a densidade de bits em 50%, as velocidades de entrada e saída de dados em 33% e reduz o consumo de energia em 10%.
As inovações incluem evitar interferências celulares e prolongar a vida útil das células, e a eliminação de buracos de canais fictícios reduziu significativamente a área planar das células de memória.
“Gravação de buraco de canal” da Samsung tecnologia cria caminhos de elétrons empilhando camadas de molde e maximiza a produtividade de fabricação, pois permite a perfuração simultânea da maior contagem de camadas de células do setor em uma estrutura de pilha dupla.
À medida que o número de camadas celulares aumenta, a capacidade de perfurar um número maior de células torna-se essencial, exigindo técnicas de gravação mais sofisticadas.
O V-NAND de 9ª geração está equipado com a interface Toggle 5.1 que suporta velocidades de entrada/saída de dados aumentadas em 33%, até 3.2 Gbps.