Abaixo você encontrará uma galeria com todos os vencedores recebendo seus prêmios. Basta clicar nas imagens para ampliá-las. Veja também: Galeria de fotos: Participantes – Women Leaders In Electronics Awards A lista completa dos vencedores por categoria pode ser encontrada aqui. Parabéns a todos os vencedores e também aos pré-selecionados ou altamente [...]
Eles são “projetados para lidar com altas correntes” e “projetados para resistir a condições ambientais adversas”, segundo a empresa. Estão disponíveis conectores para cabos de 16 a 95 mm2, com contatos em liga de cobre com acabamento prateado e aprovados conforme UL 4128. A vida útil prevista da conexão mecânica, sem carga elétrica, é >100 ciclos. Estes são dois […]
Os módulos vêm com ou sem um diodo Schottky empacotado, com classificações de corrente entre 30 e 113A e resistência variando de 80mΩ a 20mΩ respectivamente (consulte a tabela). O pacote SOT-227 foi projetado para ser aparafusado a um dissipador de calor e possui terminais de parafuso para suas conexões elétricas. A pegada no dissipador de calor é 38 x 25 mm e [...]
O Semikron SKKT 570/16 E é um módulo IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) com características e classificações elétricas específicas. Aqui está um detalhamento das informações fornecidas: Características elétricas: Classificações de temperatura: Outras classificações:
A Toshiba Electronics Europe GmbH desenvolveu um novo MOSFET SiC com classificação de 2200 V com SBD integrado para uso em aplicações de 1500 VCC, como inversores fotovoltaicos, carregadores EV, conversores CC-CC de alta frequência e sistemas de armazenamento de energia. O novo dispositivo simplifica projetos de inversores e aumenta a densidade de potência, diminuindo tamanho e peso. Os inversores convencionais de três níveis apresentam baixas perdas de comutação como [...]
Os inversores convencionais de três níveis apresentam baixas perdas de comutação, pois a tensão no estado desligado nos dispositivos de comutação é metade da tensão da linha. Em comparação, os inversores de dois níveis possuem menos módulos de comutação, tornando-os mais simples, menores e mais leves. No entanto, requerem dispositivos semicondutores com tensão de ruptura mais elevada, pois a tensão aplicada é a tensão da linha. Enfrentar esse desafio é importante [...]
Módulo PHT250N16 IGBT (transistor bipolar de porta isolada). Estas especificações descrevem as classificações e características máximas do módulo IGBT sob diferentes condições operacionais. Aqui está um detalhamento das informações que você forneceu:
O SanRex MDF250A20L é um módulo de diodo retificador de alta potência fabricado pela SanRex Corporation. Ele foi projetado para uso em circuitos de retificação e oferece características de alto desempenho para diversas aplicações. Aqui está um resumo de seus detalhes, recursos e especificações: Visão geral do módulo: O SanRex MDF250A20L é um módulo de diodo projetado para ser usado em circuitos de retificação. Possui um [...]
O Eupec TT250N16KOF é um módulo IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) com recursos, aplicações e classificações máximas específicas. Aqui estão as informações que você forneceu: Recursos: Aplicativos: Avaliações e características máximas: