Eles levaram a ideia de acionar um LED por meio de uma rede híbrida-T, que combina sinais de acionamento CA e CC, um estágio adiante, construindo um eletrodo de controle CA acoplado capacitivamente em uma estrutura convencional de LED GaN.
O eletrodo de controle altera o número de furos no p-GaN – Al2O3 região (veja o diagrama), que variou entre cerca de 1016/ cm3 com +10V no eletrodo extra, até ~1020/ cm3 com -10V.
O eletrodo extra não afeta a cor da saída – ele permanece um LED UV de 270nm – mas modula um pouco a saída de luz – em ~17% se a Electronics Weekly estiver lendo a pesquisa corretamente – as pesquisas foram contatadas para verificar isso.
Na prática, o contato positivo e o contato de controle estão interdigitados na superfície superior do dispositivo, cuja área ativa mede 200 x 200μm.
Para ver como a modulação do dispositivo por meio de seu terceiro terminal é comparada à modulação de um LED convencional por meio de uma rede externa híbrida-T, a equipe construiu um LED convencional de tamanho semelhante.
A versão de três terminais modulou até ~263MHz, enquanto a versão de dois terminais perdeu força em ~160MHz.
Usando 32, 16, 8, 4 e 2 QAM (modulação de amplitude em quadratura), a equipe conseguiu enviar até 1.288 Gbit/s em uma curta distância.
O USTC trabalhou com a Universidade Fudan, a Universidade Nacional Australiana, a Universidade King Abdullah de Ciência e Tecnologiae Universidade de Wuhan.
A pesquisa foi publicada como 'Um diodo emissor e detector de luz de três terminais' na Nature Electronics – apenas o resumo pode ser lido sem pagamento.