SemiQ расширила свой портфель силовых устройств из карбида кремния (SiC), выпустив выключатель питания SiC второго поколения. Новый GP2T080A120U 1200-В, 80-мОм SiC MOSFET присоединяется к существующему семейству SiC-выпрямителей на 650, 1200 и 1700 В.
Обеспечивая наилучший компромисс между потерями проводимости и переключения, SiC МОП-транзистор предназначен для широкого спектра приложений, говорит SemiQ. Как показано на диаграмме ниже, SiC MOSFET сохраняет свое преимущество в эффективности во всем диапазоне частот по сравнению с конкурирующими продуктами, обеспечивая большую гибкость в более широком диапазоне приложений, добавили в компании. Диапазон рабочих температур GP2T080A120U составляет от -55°C до 175°C.
(Источник: SemiQ)
Щелкните, чтобы увеличить изображение. (Источник: SemiQ)
карбид кремния МОП-транзисторы переключаться быстрее с меньшими потерями по сравнению с кремнием IGBTs, говорит SemiQ, что позволяет снизить требования к размеру, весу и охлаждению на уровне системы. Надежно работая в экстремальных условиях, устройства могут использоваться в таких устройствах, как зарядные станции для электромобилей, импульсные источники питания, солнечные инверторы, электроприводы и высоковольтные преобразователи постоянного тока в постоянный.
SiC MOSFET на 1200 В, 80 мОм теперь доступен в корпусе TO-247-3L. За ним последуют пакет TO-247-4L и серия модулей. Образцы имеются на складе SemiQ и доступны у официальных дистрибьюторов Digi-Key, Mouser Electronics и Richardson Electronics.