Datasheets:FDC8884Product Photos:SOT-23-5SOT-23-6Standard Package:3,000Category:Discrete Полупроводниковое Семейство продуктов:Полевые транзисторы – SingleСерия:PowerTrench®Упаковка:Ленточные и катушечные (TR)Тип полевого транзистора:MOSFET N-канальный, металлооксидный полевой транзистор: логический уровень, отводимый от источника напряжение (Vdss): 30VCurrent – непрерывный сток (Id) при 25°C: 6.5A (Ta), 8A (Tc)Rds On (Макс) @ Id, Vgs: 23 мОм @ 6.5A, 10VVgs(th) (Макс) @ Идентификатор: 3 В @ 250 мкА Заряд (Qg) @ Vgs: 7.4 нК @ 10 В Входная емкость (СНПЧ) @ Vds: 465 пФ @ 15 В Мощность – Макс.: 800 мВт Тип монтажа: Поверхностный монтажПакет / Корпус: SOT-23-6 Комплект устройства поставщика: 6-SSOTДинамический каталог: N-канальные полевые транзисторы логического уровня. Другие названия: FDC8884-NDFDC8884TR #ФДК8884 Fairchild Полупроводниковое FDC8884 Новый N-канальный Power Trench® MOSFET, 30 В, 6.5 А, 23 мОм, 3000-REEL, фотографии FDC8884, цена FDC8884, #поставщик FDC8884
-----------------------
Электронная почта: sales@shunlongwei.com
-----------------------
Электронная почта: sales@shunlongwei.com
-----------------------
Номер детали производителя: FDC8884
Бренд: ON Полупроводниковое
Код без содержания свинца: Активный
Ihs Производитель: ON Полупроводниковое
Описание пакета: МАЛЕНЬКИЙ ОБЗОР, R-PDSO-G6
Код упаковки производителя: 419BL
Код ECCN: EAR99
Код HTS: 8541.29.00.95
Производитель: ON Полупроводниковое
Рейтинг риска: 0.92
Конфигурация: ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ
Разбивка DS напряжение-Мин .: 30 В
Максимальный ток стока (Abs) (ID): 8 A
Максимальный ток стока (ID): 6.5 A
Макс. Сопротивление сток-источник: 0.023 Ом
FET Технологии: МЕТАЛЛООКСИД Полупроводниковое
Максимальный конденсатор обратной связи (Crss): 25 пФ
Код JEDEC-95: MO-193AA.
Код JESD-30: R-PDSO-G6.
Уровень чувствительности к влаге: 1
Количество элементов: 1
Количество терминалов: 6
Режим работы: РЕЖИМ РАСШИРЕНИЯ
Максимальная рабочая температура: 150 ° C
Материал корпуса упаковки: ПЛАСТИК / ЭПОКСИД
Форма упаковки: ПРЯМОУГОЛЬНАЯ
Стиль упаковки: МАЛЕНЬКИЙ КОНТРОЛЬ
Пиковая температура оплавления (Cel): НЕ УКАЗАНО
Полярность / Тип канала: N-CHANNEL
Рассеиваемая мощность - макс. (Абс.): 1.6 Вт
Подкатегория: FET General Purpose Power
Поверхностное крепление: ДА
Форма клеммы: GULL WING
Конечное положение: ДВОЙНОЙ
Время
N-канальный Power Trench® MOSFET, 30 В, 6.5 А, 23 мОм, 3000-REEL
Бренд: ON Полупроводниковое
Код без содержания свинца: Активный
Ihs Производитель: ON Полупроводниковое
Описание пакета: МАЛЕНЬКИЙ ОБЗОР, R-PDSO-G6
Код упаковки производителя: 419BL
Код ECCN: EAR99
Код HTS: 8541.29.00.95
Производитель: ON Полупроводниковое
Рейтинг риска: 0.92
Конфигурация: ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ
Разбивка DS напряжение-Мин .: 30 В
Максимальный ток стока (Abs) (ID): 8 A
Максимальный ток стока (ID): 6.5 A
Макс. Сопротивление сток-источник: 0.023 Ом
FET Технологии: МЕТАЛЛООКСИД Полупроводниковое
Максимальный конденсатор обратной связи (Crss): 25 пФ
Код JEDEC-95: MO-193AA.
Код JESD-30: R-PDSO-G6.
Уровень чувствительности к влаге: 1
Количество элементов: 1
Количество терминалов: 6
Режим работы: РЕЖИМ РАСШИРЕНИЯ
Максимальная рабочая температура: 150 ° C
Материал корпуса упаковки: ПЛАСТИК / ЭПОКСИД
Форма упаковки: ПРЯМОУГОЛЬНАЯ
Стиль упаковки: МАЛЕНЬКИЙ КОНТРОЛЬ
Пиковая температура оплавления (Cel): НЕ УКАЗАНО
Полярность / Тип канала: N-CHANNEL
Рассеиваемая мощность - макс. (Абс.): 1.6 Вт
Подкатегория: FET General Purpose Power
Поверхностное крепление: ДА
Форма клеммы: GULL WING
Конечное положение: ДВОЙНОЙ
Время
N-канальный Power Trench® MOSFET, 30 В, 6.5 А, 23 мОм, 3000-REEL