Использование GaN-транзисторов в OBC на 800 В — это инновация, которая придает этой конструкции 11 кВт/800 В преимущество.
OBC сочетает в себе трехуровневую летную систему. конденсатор топология для бесмостовой структуры PFC с тотемным полюсом и двойного активного моста в AC/DC и DC/DC соответственно.
Транзисторы GaN в трехуровневой топологии уменьшают Транзистор снижение напряжения вдвое и позволяет использовать GaN 650 В в этом и многих других приложениях 800 В.
Ключевые особенности дизайна OBC
- На 36 % выше удельная мощность по сравнению с карбидом кремния
- Пиковая эффективность ступени переменного/постоянного тока>99%, пиковая эффективность ступени постоянного/постоянного тока>98.5%
- Меньшая сумма Полупроводниковое потеря мощности
- Минимальный звон затвора, низкий уровень шума и звона при переключении переходов
- Улучшенные тепловые характеристики за счет использования интерфейса IMS
Силовые полупроводники GaN повышают эффективность OBC за счет снижения коммутационных потерь и рассеиваемой мощности во время работы.
Эта повышенная эффективность снижает потери мощности во время зарядки электромобиля, делая OBC значительно более энергоэффективным и экономичным.
Например, более высокая эффективность решения снижает сложность и стоимость конструкции системы охлаждения. Компактная и высокоэффективная конструкция помогает уменьшить общий размер и вес OBC, высвобождая пространство и вес, которые можно распределить на другие части конструкции электромобиля.
Для получения дополнительной информации см. здесь.