Infineon улучшает 100-вольтовые МОП-транзисторы с помощью OptiMOS 6

Обновление: 6 августа 2023 г.
Infineon улучшает 100-вольтовые МОП-транзисторы с помощью OptiMOS 6

По сравнению с OptiMOS 5 компания заявляет:

  • Rds (on) лучше на 18%
  • Qg x Rds (on) лучше на 29%
  • Qgd x Rds (on) лучше на 42%

«В понижающе-повышающем преобразователе с нулевым напряжением 600 Вт, 36-60 В в 12 В OptiMOS 6 в SuperSO8 с 2.2 мОм может достичь на 1% большей эффективности, чем OptiMOS 2.7 с 027 мОм BSC10N5NS5 во всем диапазоне нагрузок», - заявила Infineon. «Это приводит к снижению потерь мощности на 7 Вт за счет улучшенных зарядов и Rds (вкл.), Что позволяет увеличить удельную мощность до 15%».

Предусмотрены приложения в импульсных источниках питания, а также в солнечных батареях, электроинструментах, дронах и системах управления батареями.

Детали доступны в размерах SuperSO5 6 x 8 мм и PQFN 3.3 x 3.3 мм 3.3 x 3.3.

Упаковка часть RDS (вкл.) При 10 В
СуперСО8
5x6mm
ИСК022Н10НМ6 2.2mΩ
ИСК027Н10НМ6 2.7mΩ
ИСК030Н10НМ6 3mΩ
ИСК060Н10НМ6 6mΩ
ИСК080Н10НМ6 8mΩ
ИСК230Н10НМ6 23mΩ
ПКФН
3.3 × 3.3mm
ИСЗ080Н10НМ6 8mΩ
ИСЗ230Н10НМ6 23mΩ

Общий заряд затвора для 2.24 мОм ISC022N10NM6 составляет 73 нКл (тип. 91 нКл) при 50 В dd 25 A Id 0-10 В g. Типичный заряд диода с обратным восстановлением составляет 70 нКл при 50 В, 25 А, если, 100 А / мкс разница / dt (325 нК при 1,000 А / мкс). Его технический паспорт находится здесь