#НТЖД4401НТ2 НА NTJD4401NT2 Новый 630мА, 20В, 2 КАНАЛА, N-КАНАЛ, Si, МАЛЫЙ СИГНАЛ, MOSFET, CASE 419B-02, SC-88, SC-70, 6 PIN, фотографии NTJD4401NT2, цена NTJD4401NT2, # NTJD4401NT2 поставщик
-----------------------
Электронная почта: sales@shunlongwei.com
-----------------------
Электронная почта: sales@shunlongwei.com
https://www.slw-ele.com/ntjd4401nt2.html
-----------------------
Номер детали производителя: NTJD4401NT2
Код RoHS: Нет
Код жизненного цикла детали: устарело
Ihs Производитель: ON Полупроводниковое
Код упаковки детали: SC-70
Описание упаковки: CASE 419B-02, SC-88, SC-70, 6 PIN
Количество контактов: 6
Код упаковки производителя: CASE 419B-02
Код ECCN: EAR99
Код HTS: 8541.21.00.95
Производитель: ON Полупроводниковое
Рейтинг риска: 7.37
Конфигурация: ОТДЕЛЬНЫЙ, 2 ЭЛЕМЕНТА СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ И резистор
Разбивка DS напряжение-Мин .: 20 В
Максимальный ток стока (Abs) (ID): 0.63 A
Максимальный ток стока (ID): 0.63 A
Макс. Сопротивление сток-источник: 0.375 Ом
FET Технологии: МЕТАЛЛООКСИД Полупроводниковое
Максимальный конденсатор обратной связи (Crss): 5 пФ
Код JESD-30: R-PDSO-G6.
Код JESD-609: e0.
Количество элементов: 2
Количество терминалов: 6
Режим работы: РЕЖИМ РАСШИРЕНИЯ
Максимальная рабочая температура: 150 ° C
Материал корпуса упаковки: ПЛАСТИК / ЭПОКСИД
Форма упаковки: ПРЯМОУГОЛЬНАЯ
Стиль упаковки: МАЛЕНЬКИЙ КОНТРОЛЬ
Пиковая температура оплавления (Cel): 240
Полярность / Тип канала: N-CHANNEL
Рассеиваемая мощность - макс. (Абс.): 0.55 Вт
Статус квалификации: не соответствует требованиям
Подкатегория: FET General Purpose Power
Поверхностное крепление: ДА
Отделка клемм: олово / свинец (Sn80Pb20)
Форма клеммы: GULL WING
Конечное положение: ДВОЙНОЙ
Время
630 мА, 20 В, 2 КАНАЛА, N-КАНАЛА, Si, МАЛЫЙ СИГНАЛ, MOSFET, КОРПУС 419B-02, SC-88, SC-70, 6 PIN
Код RoHS: Нет
Код жизненного цикла детали: устарело
Ihs Производитель: ON Полупроводниковое
Код упаковки детали: SC-70
Описание упаковки: CASE 419B-02, SC-88, SC-70, 6 PIN
Количество контактов: 6
Код упаковки производителя: CASE 419B-02
Код ECCN: EAR99
Код HTS: 8541.21.00.95
Производитель: ON Полупроводниковое
Рейтинг риска: 7.37
Конфигурация: ОТДЕЛЬНЫЙ, 2 ЭЛЕМЕНТА СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ И резистор
Разбивка DS напряжение-Мин .: 20 В
Максимальный ток стока (Abs) (ID): 0.63 A
Максимальный ток стока (ID): 0.63 A
Макс. Сопротивление сток-источник: 0.375 Ом
FET Технологии: МЕТАЛЛООКСИД Полупроводниковое
Максимальный конденсатор обратной связи (Crss): 5 пФ
Код JESD-30: R-PDSO-G6.
Код JESD-609: e0.
Количество элементов: 2
Количество терминалов: 6
Режим работы: РЕЖИМ РАСШИРЕНИЯ
Максимальная рабочая температура: 150 ° C
Материал корпуса упаковки: ПЛАСТИК / ЭПОКСИД
Форма упаковки: ПРЯМОУГОЛЬНАЯ
Стиль упаковки: МАЛЕНЬКИЙ КОНТРОЛЬ
Пиковая температура оплавления (Cel): 240
Полярность / Тип канала: N-CHANNEL
Рассеиваемая мощность - макс. (Абс.): 0.55 Вт
Статус квалификации: не соответствует требованиям
Подкатегория: FET General Purpose Power
Поверхностное крепление: ДА
Отделка клемм: олово / свинец (Sn80Pb20)
Форма клеммы: GULL WING
Конечное положение: ДВОЙНОЙ
Время
630 мА, 20 В, 2 КАНАЛА, N-КАНАЛА, Si, МАЛЫЙ СИГНАЛ, MOSFET, КОРПУС 419B-02, SC-88, SC-70, 6 PIN