Может. 9, 2023 /ПолуМедиа/ — Компания ROHM недавно объявила о начале массового производства 650-вольтовых GaN (нитрид галлия) HEMT GNP1070TC-Z и GNP1150TCA-Z, которые оптимизированы для широкого спектра применений в энергосистемах. Эти новые продукты разработаны совместно с Ancora Semiconductors, Inc., дочерней компанией Delta Electronics, Inc., которая разрабатывает устройства GaN.
Повышение эффективности источников питания и двигателей, на долю которых приходится большая часть мирового потребления электроэнергии, стало серьезным препятствием на пути к обезуглероживанию общества. Использование новых материалов, таких как GaN и SiC, является ключом к повышению эффективности источников питания.
После начала массового производства GaN HEMT на 150 В с пробоем затвора напряжение 8В в 2022 г. – в марте 2023 г. РОХМ установил контроль IC technology для максимизации производительности GaN. На этот раз компания ROHM разработала GaN HEMT на 650 В, обладающую лучшими на рынке характеристиками, которые способствуют более высокой эффективности и меньшим размерам в более широком диапазоне систем электропитания.
GNP1070TC-Z и GNP1150TCA-Z обеспечивают лучшую в отрасли производительность с точки зрения RDS(ON) × Ciss / RDS(ON) × Coss, показатель качества для GaN HEMT, обеспечивающий более высокую эффективность в системах электропитания. В то же время встроенный элемент защиты от электростатического разряда улучшает сопротивление электростатическому пробою до 3.5 кВ, что повышает надежность применения. Характеристики высокоскоростного переключения GaN HEMT также способствуют большей миниатюризации периферийных компонентов.
Для получения дополнительной информации, пожалуйста, посетите GNP1070TC-Z и GNP1150TCA-Z.
Посмотреть больше: Модули IGBT | ЖК-дисплеи | Электронные компоненты