Серия SLA36385A имеет площадь основания 5 x 9 мм и высоту 9.5 мм, однако компоненты выдерживают силу тока до 230 А. Индуктивность находится в диапазоне от 35 до 470 нГн. «Компонент 35nH может выдерживать ток более 200 А с спадом примерно 20%», — заявили в компании. Сопротивление может составлять всего 125 мкОм, а рабочая частота — до […]
Корпус SSO10T имеет зазор толщиной 10 мкм вместо термопрокладки на стороне печатной платы, и, по данным компании, около 95% тепла уходит через верхнюю часть, обычно в корпус ЭБУ или охлаждающую пластину. Ожидается, что он будет использоваться с термоинтерфейсной прокладкой для обеспечения допуска между печатной платой и […]
• Обеспечивать и ускорять научно-исследовательские достижения для будущих поколений микроэлектроники. • Поддерживать, создавать и объединять инфраструктуру микроэлектроники от исследований до производства. • Наращивать и поддерживать техническую рабочую силу для экосистемы исследований и разработок микроэлектроники в производственной экосистеме. • Создать динамичную инновационную экосистему микроэлектроники для ускорения темпов роста. переход исследований и разработок в США […]
Обдумывая будущие конструкции «система в корпусе», которые будут потреблять около 1 кВт, компания Intel использовала 16-нм техпроцесс finfet cmos для создания прототипа 52-фазного понижающего преобразователя, который можно встроить в такие микросхемы. Сан-Франциско. Точка нагрузки постоянного тока потребляет напряжение 2 В и может выдавать ток 200 А (624 А […]
Названный AONA66916, тепловое сопротивление от перехода к верхней и нижней поверхностям составляет 0.5 и 0.55 Кл/Вт соответственно. «Корпус DFN 5×6 с открытым верхом занимает ту же площадь, что и стандартный корпус DFN 5×6 от AOS, что устраняет необходимость изменения существующих разводок печатных плат», — заявили в компании. Сопротивление открытого состояния составляет 3.4 мОм, затвор рассчитан на ±20 В, а максимальная температура перехода […]
IGBT-модуль Fuji 2MBI200VB-120 — мощное решение, которое: Идеально подходит для различных применений, включая: 2MBI200VB-120. БТИЗ-модули. МОДУЛЬ IGBT (серия V). 1200В/200А/2 в одной упаковке
SKM200GAL1200KL компании Semikron — это мощный полумостовой силовой модуль IGBT, специально разработанный для различных применений, таких как приводы промышленных двигателей, системы возобновляемых источников энергии и тяговые приложения. Этот модуль, заключенный в компактный корпус SEMITRANS 2, содержит два биполярных транзистора с изолированным затвором, расположенных по полумостовой топологии. Благодаря прочной конструкции он обеспечивает максимальное напряжение коллектор-эмиттер 1200 В […]
DF200AA160 — это силовой диодный модуль, тщательно разработанный для трехфазного двухполупериодного выпрямления. Он включает в себя шесть диодов, соединенных между собой в трехфазную мостовую конфигурацию. Примечательно, что монтажное основание модуля электрически изолировано от полупроводниковых элементов, что упрощает сборку радиатора. Этот универсальный модуль может эффективно обрабатывать выходной постоянный ток […]
MACMIC MMD200S160B — это модуль IGBT (биполярный транзистор с изолированным затвором) с определенными функциями, приложениями и максимальными номиналами. Вот разбивка предоставленной информации: Характеристики: Применение: Максимальные номинальные значения и характеристики (при 25°C, если не указано иное):