Модуль Semikron SKiM304GD12T4D IGBT: улучшенные энергетические характеристики Модуль Semikron SKiM304GD12T4D IGBT демонстрирует передовые функции, специально разработанные для современных силовых приложений. Используя технологию Trenchgate, этот модуль обеспечивает исключительную производительность в различных сценариях. Его Vce(sat) с положительным температурным коэффициентом обеспечивает стабильную работу при колебаниях температуры, а его замечательная способность к короткому замыканию повышает его универсальность. Особенности Типичные области применения […]
Toshiba MG200H1AL2 — это надежный модуль IGBT (биполярный транзистор с изолированным затвором), предназначенный для коммутационных приложений высокой мощности. Вот краткий обзор его основных особенностей и характеристик: Описание: MG200H1AL2 представляет собой транзисторный модуль с номинальным током 200 А и номинальным напряжением 450 Вольт. Он весит 210 граммов (приблизительно 0.46 фунта), […]
Модуль Starpower GD200HFL120C2S IGBT — это высокопроизводительное силовое полупроводниковое устройство, предназначенное для эффективного переключения и управления питанием. Вот основные детали и характеристики модуля GD200HFL120C2S IGBT: Общее описание: Модуль питания STARPOWER IGBT спроектирован так, чтобы обеспечить сверхнизкие потери проводимости и высокую устойчивость к короткому замыканию. Он предназначен для таких приложений, как […]
MDS MDS200A1600V — это модуль IGBT, известный своими функциями и характеристиками, которые делают его подходящим для различных приложений. Вот подробности: Особенности: Максимальные номиналы и характеристики: Модуль MDS200A1600V IGBT разработан для обеспечения эффективного переключения мощности и возможностей управления. Он характеризуется способностью выдерживать высокое напряжение и ток, что позволяет […]
Infineon DDB6U205N16L — это модуль IGBT (биполярный транзистор с изолированным затвором) со следующими максимальными номиналами и характеристиками: Обратите внимание, что эти значения представляют собой абсолютные максимальные номиналы для модуля IGBT DDB6U205N16L и предназначены для правильной эксплуатации и безопасности в различных приложениях. .
Infineon FF400R07KE4 — это двойной модуль IGBT на 650 В, 400 А, производимый Infineon Technologies. В этом модуле реализована технология TRENCHSTOP™ IGBT4 и диод, управляемый эмиттером. Он предназначен для применений с высокой мощностью, требующих повышенного напряжения блокировки, высокой устойчивости к короткому замыканию и оптимальных электрических характеристик. Модуль размещен в стандартном […]
Infineon FF400R06KE3 — это модуль IGBT (биполярный транзистор с изолированным затвором), предназначенный для коммутационных приложений высокой мощности. Он имеет определенные максимальные номиналы и характеристики, которые делают его пригодным для различных промышленных применений и систем управления питанием. Вот основные характеристики и особенности модуля IGBT FF400R06KE3: Максимальные номиналы и характеристики: Модуль IGBT FF400R06KE3 […]
Infineon #FZ400R17KE3 необходим для правильного использования и предотвращения повреждений или сбоев. Пройдемся по каждому из максимальных рейтингов и характеристик этого компонента:
Fuji 2MBI400VG-060 — это модуль IGBT (биполярный транзистор с изолированным затвором), предназначенный для приложений с высокой мощностью, требующих высокоскоростного переключения и возможности управления напряжением. Ниже приведены функции, области применения и максимальные номинальные характеристики этого модуля: Характеристики: Применение: Максимальные номинальные значения (Tc=25°C, если не указано иное):