ไดโอด SiC Schottky ตัวแรกของ Nexperia เป็นอุปกรณ์ระดับอุตสาหกรรมที่มีการย้อนกลับสูงสุดซ้ำ 650 V แรงดันไฟฟ้า (VRRM) และกระแสไฟไปข้างหน้าต่อเนื่อง 10 A (IF) ที่ออกแบบมาเพื่อรวมเอาประสิทธิภาพสูงพิเศษและประสิทธิภาพสูงพร้อมการสูญเสียพลังงานต่ำในการแปลงพลังงาน
ให้ประโยชน์เพิ่มเติมของแพ็คเกจ 2 พินจริง (R2P) แท้จริงที่เป็นไปตามข้อกำหนดแรงดันสูงที่มีระยะห่างตามรอยเลื่อนที่สูงขึ้น มีให้เลือกทั้งแบบยึดพื้นผิว (DPAK R2P และ D2PAK R2P) หรือรูทะลุ (TO-220-2, TO-247-2) อุปกรณ์
ตัวอย่างทางวิศวกรรมสามารถขอได้โดยมีกำหนดการเปิดตัวผลิตภัณฑ์เต็มรูปแบบในไตรมาสที่สองของปี 2022 Nexperia วางแผนที่จะเพิ่มพอร์ตโฟลิโอ SiC อย่างต่อเนื่อง ซึ่งจะนำไปสู่ผลิตภัณฑ์ทั้งหมด 72 รายการที่ทำงานที่ระดับแรงดันไฟฟ้า 650 V และ 1200 V และ โดยมีกระแสอยู่ในช่วง 6-20 A.
ไดโอด SiC Schottky ของ Nexperia เริ่มเป้าหมายการใช้งานในภาคอุตสาหกรรมและผู้บริโภค ซึ่งรวมถึง:
• แหล่งจ่ายไฟโหมดสวิตช์ (SMPS)
• ตัวแปลง AC-DC และ DC-DC
• โครงสร้างการชาร์จแบตเตอรี่
•เครื่องสำรองไฟ (UPS)
• อินเวอร์เตอร์ไฟฟ้าโซลาร์เซลล์
เน็กซ์พีเรียยังมีแผนที่จะเปิดตัวอุปกรณ์เกรดยานยนต์เพื่อใช้ในการใช้งานรถยนต์ไฟฟ้า เช่น:
• ที่ชาร์จออนบอร์ด (OBC)
• อินเวอร์เตอร์
• คอนเวอร์เตอร์ DC-DC แรงดันสูง
PSC1065H (-J/-K/-L) เป็นผลิตภัณฑ์แรกในกลุ่มผลิตภัณฑ์ไดโอด SiC Schottky ที่ Nexperia กำลังพัฒนาเพื่อรองรับตลาดยานยนต์และอุตสาหกรรม
ข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับ PSC1065x ใหม่ รวมถึงข้อมูลจำเพาะของผลิตภัณฑ์และเอกสารข้อมูลสามารถดูได้ที่ www.nexperia.com/sic_diodes