นาวิทัส สารกึ่งตัวนำ ได้ระบุว่าเครื่องชาร์จเร็วความถี่สูงรุ่นถัดไปของ Exide Technologies สำหรับอุปกรณ์ขนถ่ายวัสดุทางอุตสาหกรรมได้นำเซมิคอนดักเตอร์พลังงาน GeneSiC ที่ล้ำหน้าใหม่มาใช้เพื่อให้ความน่าเชื่อถือ ความปลอดภัย ใช้งานง่าย และการชาร์จที่เหมาะสมที่สุด
SiC คือพาวเวอร์ 'wide bandgap' ใหม่ สารกึ่งตัวนำ วัสดุมาแทนที่ชิปซิลิคอนแบบเดิมอย่างรวดเร็วด้วยพลังงานสูงและพลังงานสูงแรงดันไฟฟ้า การใช้งานรวมถึงพลังงานหมุนเวียน การเก็บพลังงานและไมโครกริด EV และการใช้งานในอุตสาหกรรม GeneSiC 'ระนาบระนาบช่วยคูน้ำ' SiC MOSFET เทคโนโลยี ให้ประสิทธิภาพที่ไม่มีการประนีประนอม ประสิทธิภาพสูง และความเร็วสูง ส่งผลให้อุณหภูมิเคสต่ำกว่าถึง 25C และอายุการใช้งานยาวนานกว่าผลิตภัณฑ์ SiC ทางเลือกถึง 3 เท่า ด้วยความสามารถในการถล่มที่ผ่านการทดสอบสูงสุด 100% ที่เผยแพร่สูงสุด ระยะเวลาสั้นกว่า 30%วงจรไฟฟ้า ทนทานต่อเวลาและแรงดันไฟฟ้าเกณฑ์ที่เสถียรเพื่อการขนานที่ง่ายดาย GeneSiC มอสเฟต เหมาะอย่างยิ่งสำหรับการใช้งานพลังงานสูงและออกสู่ตลาดอย่างรวดเร็ว
เครื่องชาร์จความถี่สูงของ Exide แปลงพลังงาน 220VAC เป็นแรงดันไฟฟ้าระดับแบตเตอรี่ระหว่าง 24V ถึง 80V สำหรับรถยนต์อุตสาหกรรมที่ใช้กรดตะกั่วและลิเธียมไอออน 7kW โมดูล ใช้ GeneSiC G3R60MT07D (750V) MOSFET และ GD10MPS12A (1,200V) MPS Schottky Diodes พร้อมด้วยสถาปัตยกรรมที่ปรับความถี่ให้เหมาะสม แพลตฟอร์มเดียวกันสามารถอัพเกรดเป็น 10kW โดยมีสี่โมดูลขนานกันเพื่อให้พลังงานชาร์จเร็วที่เชื่อถือได้ 40kW
Dr. Dominik Margraf ผู้อำนวยการ Product Management Motion ของ Exide Technologies กล่าวว่า “Exide Technologies มอบการชาร์จเร็วที่สมบูรณ์และควบคุมอย่างระมัดระวัง พร้อมการตรวจสอบระบบอย่างใกล้ชิดสำหรับอุปกรณ์การจัดการวัสดุที่สำคัญ ซึ่งทำงานตลอด 24 ชั่วโมงทุกวัน” “เทคโนโลยี GeneSiC ของ Navitas นั้นใช้งานง่าย พร้อมการสนับสนุนที่ยอดเยี่ยม ประสิทธิภาพของระบบที่เพิ่มขึ้น และการทำงานที่เย็นกว่า”
“พันธกิจ 'Energising a New World' ของ Exide และ 'Electrify Our World' ของ Navitas เป็นพันธมิตรที่สมบูรณ์แบบ” Dr Ranbir Singh, Navitas EVP และสถาปนิกของเทคโนโลยี GeneSiC กล่าว “เทคโนโลยียุคหน้าขับเคลื่อนความยั่งยืน และแน่นอน ความพึงพอใจของผู้ใช้ปลายทาง”
ดูเพิ่มเติม : โมดูล IGBT | จอแสดงผล LCD | ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์