#SEMIX604GB126HD เซมิกรอน SEMIX604GB126HD ร่องลึก SEMiX® 4s ใหม่ IGBT โมดูล 1200V800A รูปภาพ SEMIX604GB126HD ราคา SEMIX604GB126HD # ผู้จัดจำหน่าย SEMIX604GB126HD
-----------------------
อีเมล: sales@shunlongwei.com
-----------------------
อีเมล: sales@shunlongwei.com
-----------------------
SEMIX604GB126HD
คุณสมบัติ
•ศรีที่เป็นเนื้อเดียวกัน
• ร่องลึก = ประตูร่องลึก เทคโนโลยี
• VCE (sat) ที่มีอุณหภูมิเป็นบวก
ค่าสัมประสิทธิ์
•ความสามารถในการลัดวงจรสูง
•ได้รับการยอมรับ UL หมายเลขไฟล์ E63532
การใช้งานทั่วไป *
•ไดรฟ์อินเวอร์เตอร์ AC
•UPS
• อิเล็กทรอนิกส์ การเชื่อมโลหะ
คะแนนและคุณสมบัติสูงสุด
. การให้คะแนนสูงสุดแน่นอน (Tc = 25 ° C เว้นแต่จะไม่มีการระบุ)
นักสะสม-Emitter แรงดันไฟฟ้า Vces: 1200V
ประตู-Emitter แรงดันไฟฟ้า VGES: ± 20V
นักสะสมปัจจุบัน IC: 620A
Icp ปัจจุบันของนักสะสม: 800A
การกระจายพลังงานสะสม Pc: 180W
Collector-Emitter แรงดันไฟฟ้า VCES: 4000V
อุณหภูมิจุดเชื่อมต่อการทำงาน Tj: + 150 ° C
อุณหภูมิในการจัดเก็บ Tstg: -40 ถึง + 175 ° C
น้ำหนัก 390g
SEMiX® 4s ร่องลึก IGBT โมดูล 1200V800A
Shunlongwei ตรวจสอบ SEMIX604GB126HD ทุกเครื่องก่อนจัดส่ง SEMIX604GB126HD ทั้งหมดพร้อมการรับประกัน 6 เดือน