19 มีนาคม 2024 — STMicroelectronics ประกาศการขยายตระกูล STPOWER MDmesh DM9 AG พร้อมด้วย MOSFET ซุปเปอร์จังค์ชันระดับยานยนต์ 600V/650V ซึ่งมอบประสิทธิภาพและความทนทานที่เหนือกว่าสำหรับเครื่องชาร์จออนบอร์ด (OBC) และแอปพลิเคชันตัวแปลง DC/DC ในการสลับฮาร์ดและอ่อน - การสลับโทโพโลยี
ด้วย RDS(on) ต่อพื้นที่ดายที่โดดเด่นและประจุเกตที่น้อยที่สุด อุปกรณ์ที่ใช้ซิลิกอนจะรวมการสูญเสียพลังงานต่ำเข้ากับประสิทธิภาพการสวิตชิ่งที่โดดเด่น สร้างเกณฑ์มาตรฐานใหม่ เมื่อเทียบกับรุ่นก่อนหน้า MDmesh DM9 ล่าสุด เทคโนโลยี รับประกันว่าแรงดันไฟฟ้าเกต-ซอร์สกระจาย (VGS(th)) ที่เข้มงวดมากขึ้น ซึ่งส่งผลให้มีการสลับที่คมชัดยิ่งขึ้นเพื่อลดการสูญเสียการเปิดและปิด
นอกจากนี้ การกู้คืนแบบย้อนกลับของบอดี้ไดโอดได้รับการปรับปรุง โดยใช้ประโยชน์จากกระบวนการที่ได้รับการปรับปรุงใหม่ ซึ่งยังเพิ่มความทนทานโดยรวมของ MOSFET อีกด้วย ค่าใช้จ่ายการกู้คืนย้อนกลับ (Qrr) ที่ต่ำและเวลาการกู้คืนที่รวดเร็ว (trr) ทำให้ซีรีส์ MDmesh DM9 AG เหมาะสำหรับโทโพโลยีสวิตช์แรงดันไฟฟ้าเป็นศูนย์แบบ shift-shift ที่ต้องการประสิทธิภาพสูงสุด
ผลิตภัณฑ์ตระกูลนี้นำเสนอแพ็คเกจแบบรูทะลุและแบบยึดบนพื้นผิวที่ช่วยให้นักออกแบบได้รับฟอร์มแฟคเตอร์ขนาดกะทัดรัดที่มีความหนาแน่นของพลังงานสูงและความน่าเชื่อถือของระบบ TO-247 LL (สายยาว) เป็นตัวเลือกรูเจาะยอดนิยมที่ช่วยให้การออกแบบง่ายขึ้นและใช้ประโยชน์จากกระบวนการประกอบที่ได้รับการพิสูจน์แล้ว ในบรรดาแพ็คเกจแบบยึดบนพื้นผิว H2PAK-2 (2 สาย) และ H2PAK-7(7 สาย) ได้รับการปรับให้เหมาะสมสำหรับการระบายความร้อนด้านล่างด้วยพื้นผิวระบายความร้อนหรือ PCB ที่มีจุดผ่านความร้อนหรือการปรับปรุงอื่นๆ นอกจากนี้ยังมีแพ็คเกจติดตั้งบนพื้นผิวระบายความร้อนด้านบน HU3PAK และ ACEPACK™ SMIT ให้เลือกอีกด้วย
อุปกรณ์ตัวแรกในซีรีส์ STPOWER MDmesh DM9 AG ใหม่คือ STH60N099DM9-2AG ซึ่งเป็นอุปกรณ์ 27A AEC-Q101 ที่ผ่านการรับรอง N-channel 600V ใน H2PAK-2 พร้อมด้วย RDS ทั่วไป 76mΩ (เปิด) ST จะขยายตระกูลเพื่อจัดหาอุปกรณ์ครบวงจร ครอบคลุมพิกัดกระแสและ RDS(on) ที่หลากหลายตั้งแต่ 23mΩ ถึง 150mΩ
STH60N099DM9-2AG มีวางจำหน่ายแล้วที่ ST eStore ในราคาเริ่มต้นที่ 4.98 ดอลลาร์ สำหรับข้อมูลเพิ่มเติม กรุณาเยี่ยมชมที่ www.st.com/dm9-superjunction-mosfets