เอสทีไมโครอิเล็กทรอนิกส์ (NYSE: STM)ระดับโลก สารกึ่งตัวนำ ผู้นำที่ให้บริการลูกค้าทั่วทุกขอบเขตของการใช้งานอิเล็กทรอนิกส์ ประกาศในวันนี้ว่าสถาบันวิศวกรรมไฟฟ้าและอิเล็กทรอนิกส์ (IEEE) นำเสนอบริษัทด้วยเหตุการณ์สำคัญ IEEE สำหรับการทำงานที่ก้าวล้ำในซิลิคอนเกตที่มีการบูรณาการขั้นสูง สารกึ่งตัวนำ กระบวนการ เทคโนโลยี การผสมผสานระหว่างทรานซิสเตอร์แอนะล็อกที่มีความแม่นยำสูงจากกระบวนการไบโพลาร์ เข้ากับทรานซิสเตอร์สวิตชิ่งดิจิตอลประสิทธิภาพสูงจากกระบวนการ CMOS และทรานซิสเตอร์ DMOS (BCD) กำลังสูงบนชิปตัวเดียวสำหรับการใช้งานที่ซับซ้อนและต้องการพลังงานสูง ในช่วงหลายปีที่ผ่านมา เทคโนโลยีกระบวนการ BCD ได้ทำให้เกิดการพัฒนาที่ปฏิวัติวงการในการใช้งานขั้นสุดท้าย เช่น ฮาร์ดดิสก์ไดรฟ์ เครื่องพิมพ์ และการใช้งานด้านยานยนต์อย่างเต็มรูปแบบ และอื่นๆ อีกมากมาย
ในระหว่างพิธีถ่ายทอดสด / เสมือนจริงซึ่งจัดขึ้นที่โรงงานของ ST ใน Agrate Brianza, Giambattista Gruosso ผู้ประสานงานคณะกรรมการกิจกรรมด้านมนุษยธรรมของ IEEE Italy และอดีตเลขาธิการและ ฌอง-มาร์ค เชอรีประธานและซีอีโอของ STMicroelectronics เปิดเผยแผ่นป้าย IEEE Milestone แผ่นโลหะจะติดตั้งในสถานที่ ST สองแห่งรอบเมืองมิลานประเทศอิตาลีซึ่งมีการดำเนินการพัฒนางาน BCD หลายประตูหลายแห่งของ Silicon-Gate: ที่ทางเข้าหลักไปยังไซต์ ST สองแห่ง: Agrate (อยู่ใน Agrate Brianza, อิตาลี) และ Castelletto (Cornaredo, มิลาน, อิตาลี) คำจารึกบนโล่อ่านว่า:
เหตุการณ์สำคัญของ IEEE
เทคโนโลยีซิลิคอนหลายตัวบนชิป 1985
SGS (ปัจจุบันคือ STMicroelectronics) เป็นผู้บุกเบิกกระบวนการซิลิกอนเกตแบบบูรณาการขั้นสูงที่รวมทรานซิสเตอร์ Bipolar, CMOS และ DMOS (BCD) ไว้ในชิปตัวเดียวสำหรับการใช้งานที่ซับซ้อนและต้องการพลังงาน วงจรรวมซูเปอร์ BCD ตัวแรกชื่อ L6202 สามารถควบคุมได้สูงสุด 60V-5A ที่ 300kHz การใช้งานด้านยานยนต์คอมพิวเตอร์และอุตสาหกรรมในเวลาต่อมาได้นำเทคโนโลยีกระบวนการนี้ไปใช้อย่างกว้างขวางซึ่งช่วยให้นักออกแบบชิปมีความยืดหยุ่นและเชื่อถือได้ในการรวมการประมวลผลสัญญาณอะนาล็อกและสัญญาณดิจิทัล
IEEE ก่อตั้งโครงการ Milestones Program ในปี 1983 เพื่อยกย่องนวัตกรรมทางเทคโนโลยีและความเป็นเลิศเพื่อประโยชน์ของมนุษยชาติที่พบในผลิตภัณฑ์บริการเอกสารน้ำเชื้อและสิทธิบัตรที่เป็นเอกลักษณ์ ความสำเร็จแต่ละครั้งจะแสดงให้เห็นถึงความสำเร็จทางเทคนิคที่สำคัญซึ่งเกิดขึ้นอย่างน้อยยี่สิบห้าปีที่ผ่านมาในด้านเทคโนโลยีที่เป็นตัวแทนใน IEEE และมีผลกระทบในระดับภูมิภาคเป็นอย่างน้อย ปัจจุบันเหตุการณ์สำคัญของ IEEE ประมาณ 220 รายการได้รับการอนุมัติและทุ่มเททั่วโลก
ในช่วงต้นทศวรรษ 1980 วิศวกรของ ST เริ่มทำงานเพื่อตอบสนองการใช้งานอิเล็กทรอนิกส์ในวงกว้างได้อย่างน่าเชื่อถือโดยการบุกเบิกความสามารถในการรวมทรานซิสเตอร์และไดโอดที่แตกต่างกันเข้ากับแม่พิมพ์ตัวเดียว มุ่งเน้นไปที่ความต้องการของลูกค้าในกลุ่มตลาดต่างๆวัตถุประสงค์ของวิศวกรคือการส่งมอบพลังงานไฟฟ้าในช่วงหลายร้อยวัตต์ภายใต้การควบคุมของตรรกะดิจิทัลที่สามารถปรับขนาดได้ตามกฎหมายของมัวร์ อุปกรณ์เป้าหมายจะรองรับฟังก์ชันอนาล็อกที่แม่นยำและลดการใช้พลังงานให้น้อยที่สุดเพื่อกำจัดฮีตซิงก์
ความพยายามเหล่านั้นได้เปิดตัวเทคโนโลยี Silicon-Gate แบบบูรณาการใหม่ เทคโนโลยี Bipolar, CMOS, DMOS (BCD) อนุญาตให้รวมเข้ากับชิปตัวเดียวไดโอดเชิงเส้นสองขั้วตรรกะ CMOS ที่ซับซ้อนและฟังก์ชันพลังงาน DMOS หลายตัวที่มีการเชื่อมต่อระหว่างกันที่ซับซ้อน ชิปตัวแรกคือตัวขับมอเตอร์ฟูลบริดจ์ L6202 ทำงานที่ 60V ส่งมอบ 1.5A เปลี่ยนพลังงานที่ 300kHz และบรรลุเป้าหมายการออกแบบทั้งหมด นักออกแบบชิปที่ใช้เทคโนโลยีกระบวนการใหม่ที่เชื่อถือได้เพื่อรวมการประมวลผลสัญญาณอะนาล็อกและสัญญาณดิจิทัลเข้าด้วยกันอย่างยืดหยุ่นบนแม่พิมพ์ชิ้นเดียว
นับตั้งแต่เปิดตัวกระบวนการ BCD ST ขายอุปกรณ์ได้ 40 พันล้านเครื่องโดยใช้ ST Silicon-Gate Multipower BCD และเร็ว ๆ นี้จะเริ่มผลิตเทคโนโลยีรุ่นที่ 10 เทคโนโลยีที่ใช้ในไซต์การผลิตส่วนหน้าและส่วนหลังในยุโรปและเอเชียนั้นแพร่หลายในตลาดและสามารถพบได้ในระบบย่อยของยานยนต์ในสมาร์ทโฟนเครื่องใช้ในบ้านเครื่องขยายเสียงฮาร์ดดิสก์อุปกรณ์จ่ายไฟเครื่องพิมพ์พิโก - โปรเจ็กเตอร์แสงสว่างอุปกรณ์ทางการแพทย์มอเตอร์โมเด็มจอแสดงผลและอื่น ๆ
“ การผสมผสานความสามารถที่มีความแม่นยำสูงของทรานซิสเตอร์สองขั้วเข้ากับการควบคุมแบบดิจิทัลของ CMOS และประโยชน์ที่มีกำลังสูงของ DMOS ในช่วงต้นยุค 80 ถือเป็นความสำเร็จที่ยอดเยี่ยม สามารถทำได้โดยทีมเทคนิคที่มีความสามารถอย่างไม่น่าเชื่อซึ่งปฏิบัติการภายในองค์กรที่มีวิสัยทัศน์และการมองการณ์ไกลในการรับรู้ถึงคุณค่าของพลังอันชาญฉลาดซึ่งตอนนั้นเป็นแนวคิดที่ไม่เหมือนใครโดยสิ้นเชิง” กล่าวว่า ฌอง-มาร์ค เชอรี, ประธานและซีอีโอ, STMicroelectronics “ ตอนนี้เรามีอายุ 35 ปีมีรุ่นทางเทคนิค 9 รุ่นเวเฟอร์ 5 ล้านชิ้นและชิปที่ขายได้ 40 หมื่นล้านชิ้นในเวลาต่อมา - ส่งมอบเกือบ 3 พันล้านในปีที่แล้ว เรายินดีต้อนรับแผ่นป้าย IEEE Milestone นี้ด้วยความภาคภูมิใจซึ่งเป็นการยกย่องสิ่งประดิษฐ์ BCD ของ ST ท่ามกลางกลุ่มเทคโนโลยีที่ได้รับการคัดเลือกซึ่งมีความก้าวหน้าของมนุษยชาติ”