Shunlongwei Co. Ltd

ECD1000A มาในโครงโลหะที่มีการระบายความร้อนด้วยการนำแผ่นฐาน และสามารถใช้กับเพลตที่มีอุณหภูมิตั้งแต่ -40 ถึง +75°C ได้ ซึ่งจะลดลงในบางสถานการณ์ การทำงานคือตั้งแต่ 85 ถึง 305Vac (ปกติ 100 ถึง 277Vac) และเอาต์พุตคือ 28Vdc 36A “สำหรับการใช้งานที่มีความต้องการสูง ECD1000A มีความทนทานทางกลไกตามมาตรฐาน MIL-STD-810H ผลิตภัณฑ์ดังกล่าวได้แก่ […]

คุณสมบัติ Fuji 1D500A-030: การใช้งาน: อัตราสูงสุด: การติดตั้ง: ค่าที่แนะนำสำหรับสกรู แรงบิด: น้ำหนัก:

ในการประชุม PCIM Europe 2023 เมื่อเร็ว ๆ นี้ ผู้ผลิตอุปกรณ์ซิลิคอนคาร์ไบด์และนักวิจัยจากมหาวิทยาลัยหลายรายได้แนะนำและแบ่งปันคุณลักษณะด้านประสิทธิภาพของ SiC MOSFET ที่ระดับแรงดันไฟฟ้า 3.3-kV แรงดันไฟฟ้านี้ถูกมองว่าเป็นกุญแจสำคัญมากขึ้นเรื่อยๆ ในการตอบสนองการใช้งานในอนาคต เช่น การแปลงพลังงานกริดแรงดันปานกลางที่แรงดันไฟฟ้า DC-link 1,500-V, เซลล์แสงอาทิตย์ และพลังงานหมุนเวียนจากลม […]

ปัจจุบันการขนส่งส่วนบุคคลและเชิงพาณิชย์มีส่วนทำให้เกิดการปล่อยก๊าซเรือนกระจกเกือบหนึ่งในสาม อุปสรรคบางประการต่อการใช้รถยนต์ไฟฟ้า (EV) ในวงกว้าง ได้แก่ ระยะทางของแบตเตอรี่ เวลาในการชาร์จ และโครงสร้างพื้นฐานในการชาร์จ มาตรฐานสำหรับยานยนต์ไฟฟ้าโดยสาร (EV) ได้รับการกำหนดได้ดีขึ้นแล้ว โดยหน่วยงานเฉพาะกิจการชาร์จอินเทอร์เฟซริเริ่ม (CharIN) พัฒนาระบบการชาร์จแบบรวม (CCS) […]

แพ็คเกจพร้อมขั้วต่อสกรู แรงดันไฟฟ้าแยกของชิปแบบพาสซีฟบนระนาบ 3000 VPการใช้งาน:วงจรเรียงกระแสอินพุตสำหรับตัวแปลง PWMวงจรเรียงกระแสอินพุตสำหรับอุปกรณ์จ่ายไฟโหมดสวิตช์ (SMPS)การชาร์จตัวเก็บประจุแบบซอฟต์สตาร์ทข้อดี:ติดตั้งง่ายด้วยสกรูสองตัวประหยัดพื้นที่และน้ำหนักปรับปรุงการหมุนเวียนของอุณหภูมิและพลังงานพิกัดและคุณลักษณะสูงสุด (Tc=25° C เว้นแต่จะระบุไว้เป็นอย่างอื่น): แรงดันไฟฟ้าของตัวสะสม-ตัวส่ง (Vces): 1600VGate-แรงดันตัวส่งสัญญาณ (VGES): ±20Vกระแสของตัวสะสม (IC): 500Aกระแสของตัวสะสม (Icp): 1000Aกำลังของตัวสะสม [...]

Mitsubishi CM1000E4C-66R เป็นโมดูล IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) ที่มีข้อกำหนดและคุณสมบัติดังต่อไปนี้: การใช้งาน: ข้อมูลเพิ่มเติม:

โมดูลจ่ายไฟ MG500Q1US1 ผลิตโดยโตชิบารุ่น: MG500Q1US1ประเภท: IGBTโมดูลพลังงานการกำหนดค่า: IGBT เดี่ยวพิกัดแรงดันไฟฟ้า: 1200Vพิกัดปัจจุบัน: 500Aประเภทบรรจุภัณฑ์: โมดูลคุณสมบัติ: ความหนาแน่นของพลังงานสูง แรงดันไฟฟ้าอิ่มตัวต่ำ การสูญเสียการสลับต่ำการใช้งาน: มอเตอร์ไดรฟ์ อินเวอร์เตอร์ พาวเวอร์ซัพพลาย การใช้งานในอุตสาหกรรมMG500Q1US1 โมดูลพลังงานได้รับการออกแบบสำหรับการใช้งานที่มีกำลังไฟสูงและประกอบด้วย IGBT เดียวที่รวมอยู่ในโมดูล ใช้ในมอเตอร์ […]

Semikron SEMiX353GB126V1 คือโมดูล IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) ที่ผลิตโดย Semikron คุณลักษณะและข้อมูลจำเพาะของโมดูลมีดังนี้ คุณลักษณะ: การใช้งานทั่วไป: หมายเหตุ: อัตราและคุณลักษณะสูงสุด: น้ำหนัก: 350 ก. ข้อมูลจำเพาะเหล่านี้ให้ข้อมูลเกี่ยวกับแรงดันไฟฟ้า กระแสไฟฟ้า การกระจายพลังงาน พิกัดอุณหภูมิ แรงบิดของสกรูยึด น้ำหนัก และอื่นๆ ของโมดูล รายละเอียดที่เกี่ยวข้อง

ต่อไปนี้เป็นคุณลักษณะและพิกัด/คุณลักษณะสูงสุดของโมดูล Semikron SKM500GA124DH6 IGBT:คุณลักษณะ:อินพุต MOS (ควบคุมแรงดันไฟฟ้า): โมดูลใช้อินพุตแบบ mosfet สำหรับการควบคุมแรงดันไฟฟ้า ช่อง N, Si ที่เป็นเนื้อเดียวกัน: IGBT ในโมดูลมี ชนิด N-channel และทำจากซิลิคอนเนื้อเดียวกันตัวเหนี่ยวนำต่ำ: โมดูลได้รับการออกแบบด้วยตัวเหนี่ยวนำต่ำเพื่อ […]