-----------------------
Email: sales@shunlongwei.com
-----------------------
MG200J2YS50 คำอธิบาย
แอปพลิเคชั่นสวิตชิ่งพลังงานสูง
อิเล็กโทรดถูกแยกออกจากเคส
. อิมพีแดนซ์อินพุตสูง
รวม half bridge ที่สมบูรณ์ในแพ็คเกจเดียว
. โหมดการเพิ่มประสิทธิภาพ
. ความเร็วสูง: tf = 0.30µs (สูงสุด) (IC = 200A) trr = 0.15µs (สูงสุด) (IF = 200A)
. ความอิ่มตัวต่ำ แรงดันไฟฟ้า : VCE (sat) = 2.70V (สูงสุด) (IC = 200เอ)
ตัวปล่อยสะสม แรงดันไฟฟ้า VCES 600 โวลต์
ตัวปล่อยประตู แรงดันไฟฟ้า VGES ± 20 โวลต์
DC ปัจจุบันของนักสะสม ic 200A
นักสะสมปัจจุบัน 1ms ICP 400 A
ส่งต่อกระแสตรง IF 200A
ส่งต่อปัจจุบัน 1ms IFM 400 A
การกระจายกำลังสะสม (Tc = 25 ° C) PC 900 W
อุณหภูมิทางแยก Tj 150 ° C
ช่วงอุณหภูมิการจัดเก็บ Tstg −40 ~ 125 ° C
ความเหงา แรงดันไฟฟ้า VIsol 2500 (AC 1 นาที) V
แรงบิดของสกรู (เทอร์มินัล / ตัวยึด) - 3/3 N · m
IGBT:200A600V
Shunlongwei ตรวจสอบ MG200J2YS50 ทุกเครื่องก่อนจัดส่ง MG200J2YS50 ทั้งหมดพร้อมการรับประกัน 6 เดือน