onsemi yeni bir ultra verimli 1200V serisi sunuyor Igbt'ler Endüstri lideri bir performans seviyesinde iletim ve anahtarlama kayıplarını en aza indiren. Hızlı anahtarlama uygulamalarında verimliliği artırmayı amaçlayan yeni cihazlar öncelikle güneş enerjisi invertörleri, UPS, enerji depolama ve EV şarj gücü dönüşümü gibi enerji altyapısı uygulamalarında kullanılacak.
Yeni IGBTgirişi yüksek seviyeye yükseltir Voltaj (Boost aşaması) ve yüksek anahtarlama frekanslı enerji altyapısı uygulamalarında AC çıkışı sağlamak için invertör. FS7 cihazlarının düşük anahtarlama kayıpları, manyetik bileşenlerin boyutunu azaltan daha yüksek anahtarlama frekanslarına olanak tanır, güç yoğunluğunu artırır ve sistem maliyetini düşürür. Yüksek güçlü enerji altyapı uygulamaları için cihazların pozitif sıcaklık katsayısı paralel çalışmayı kolaylaştırmaktadır.
Kıdemli Başkan Yardımcısı ve Genel Müdürü Asif Jakwani, "Verimlilik, tüm yüksek anahtarlama frekanslı enerji altyapısı uygulamalarında son derece kritik olduğundan, kapatma anahtarlama kayıplarını azaltmaya ve bu yeni IGBT serisinde en iyi anahtarlama performansını sağlamaya odaklandık" dedi. Onsemi'deki Güç Çözümleri Grubunun bir parçası olan Gelişmiş Güç Bölümü. "Bu endüstri lideri performans, tasarımcıların çok zorlu yüksek güçlü enerji altyapısı uygulamalarında en zorlu verimlilik gereksinimlerini karşılamalarına olanak tanıyor."
Cihazlar yüksek hızlı (S serisi) ve orta hızlı (R-Serisi) seçenekleri içerir. Tüm cihazlar düşük VF için optimize edilmiş bir diyota, ayarlanmış anahtarlama yumuşaklığına sahiptir ve 175°C'ye kadar bağlantı sıcaklıklarıyla (TJ) çalışabilir. FGY75T120SWD gibi S Serisi cihazlar, mevcut 1200V IGBT'ler arasında en iyi anahtarlama performansını sağlar. Nominal değerin yedi katına kadar akımlarla test edilen bu son derece dayanıklı IGBT platformu aynı zamanda sınıfının en iyisi mandallama bağışıklığı sağlar. R Serisi, motor kontrolü ve katı hal gibi orta hızlı anahtarlama uygulamaları için optimize edilmiştir Röle İletim kayıplarının baskın olduğu durumlarda meydana gelir. FGY100T120RWD, 1.45A'de 100V kadar düşük bir VCESAT görüntüler; bu, önceki nesil cihazlara göre 0.4V'luk bir gelişmedir.
Cihazlar, TO247-3L, TO247-4L, Power TO247-3L dahil olmak üzere çeşitli paket stillerinde ve çıplak kalıp olarak sağlanarak tasarımcılara esneklik ve tasarım seçenekleri sunulur.