New Yorker Electronics, yeni Vishay Dale PHPA Serisi İnce Film Sarma Çip Dirençlerini piyasaya sürdü. Yeni dirençler, artan nem direnci ve geliştirilmiş ESD sağlamak için kendiliğinden pasifleşen tantal nitrür filmi içerir. Voltaj katsayı ve direnç stabilite performansı. Bu özellikler zorlu veya tehlikeli çevre koşullarında yüksek termal stabilite sağlar.
AEC-Q200 nitelikli seri, 1 ve 2.5 kasa boyutlarında sırasıyla 1206W ve 2512W güç değerlerini birleştirir. Daha büyük veya paralel dirençleri değiştirerek kart alanını ve bileşen sayısını önemli ölçüde azaltırlar. Vishay PHPA dirençleri, üst taraf arasındaki termal direnci azaltmak için genişletilmiş arka uç sonlandırmalarıyla oluşturulmuştur. rezistans son kullanıcının üzerindeki katman ve lehim bağlantısı devre kurulu.
İnce film çip dirençlerinin çoğu düşük güç kapasitesi sağlar. Bu nedenle, daha yüksek güç uygulamalarına uyum sağlamak için birden fazla çipin kullanılması gerekir. Tehlikeli veya kararsız çevre koşullarında, elemanların üstesinden gelebilmek için dirençlerin dirençli malzemelerden üretilmesi gerekir. Seri Ta2N ile üretilmiştir. Bu, zorlu koşullarda üstün nem direnci ve yüksek termal stabilite sağlar. Ayrıca cihazların güç kapasitesi endüstri standartlarının çok üzerindedir.
1206 kasa boyutu 12 ila 30.1Ohm'luk bir direnç aralığı sağlarken 2512, 10 ila 30.1Ohm'luk bir aralık sağlar. Dirençler 5A (HBM) ESD derecesine, ± %0.1 direnç toleransına ve ±25 ppm/C TCR değerine sahiptir. Bu nitelikler, azaltılmış bileşen sayısı, daha yüksek güç kapasitesiyle artan tasarım esnekliği, azaltılmış montaj maliyetleri ve gelişmiş kart düzeyinde güvenilirlik gibi yeni ürün tasarımı avantajları sunar.
Direncin gerçek güç kullanma kapasitesi, son kullanıcının montaj işlemiyle sınırlıdır. Herhangi bir yüksek güçlü çip direncinde olduğu gibi, üretilen ısının uzaklaştırılması, cihazın genel performansı açısından kritik öneme sahiptir.
Tipik uygulamalar arasında güç kaynakları, güç anahtarlama, fren sistemleri, test ve ölçüm ekipmanları ve motor saptırma devreleri bulunur.