Tiến sĩ Yi Wang, trưởng nhóm nghiên cứu cho biết: “Bộ chuyển pha không cần cơ sở vật chất phòng sạch để chế tạo, và “các phần tử chuyển pha hỗ trợ kim loại lỏng có bản chất thụ động, không giống như bộ chuyển pha chủ động. Semiconductor-based đối tác, có khả năng cung cấp khả năng xử lý năng lượng cao”.
Tương đương với điện dung song song và điện cảm được tải trên ống dẫn sóng, kim loại lỏng trên bề mặt của ống dẫn sóng được sử dụng để thay đổi pha.
“Một cấu trúc tự bù, dựa trên nhiều hàng khe cắm qua pad được đề xuất để đạt được độ lệch pha thấp theo tần số”, theo một bài báo (xem bên dưới) mô tả công trình.
Hai bằng chứng về khái niệm đã được xây dựng:
- Một với hai hàng khe cắm thông qua bàn phím cung cấp khả năng dịch chuyển từ 0 đến 41° với độ lệch ±1° trên 9.5 – 12.5 GHz. Độ phân giải pha trung bình là 1°, suy hao chèn 0.8 ± 0.1dB và hệ số công suất là 45.6°/dB.
- Hàng thứ hai có ba hàng khe cắm thông qua bàn phím để cung cấp khả năng dịch chuyển từ 0° đến 180° với độ phân giải 1.68°. Độ lệch là <±2° trên 10 – 12.5GHz hoặc <±5° trên 9 – 13GHz. Độ suy hao chèn 1.1±0.1dB đã được đo và giá trị thành công là 163.6°/dB.
“Không giống như nhiều bộ dịch pha, sự mất mát của các bộ dịch pha được đề xuất không tăng lên cùng với sự dịch pha,” theo bài báo. “Các phép đo phù hợp tốt với phân tích mạch và mô phỏng.”
Đại học Doanh nghiệp Birmingham đã nộp đơn xin cấp bằng sáng chế.
'Bộ dịch pha tuyến tính có thể điều hướng dựa trên kim loại lỏng với suy hao chèn thấp, độ phân giải pha cao và độ phân tán thấp' mô tả công việc trong Giao dịch của IEEE về Lý thuyết và Kỹ thuật Vi sóng.