#2SA1812T100Q Rohm 2SA1812T100Q Si Mới, TÍN HIỆU NHỎ Transistor, Hình ảnh 2SA1812T100Q, giá 2SA1812T100Q, #2SA1812T100Q nhà cung cấp
-----------------------
Email: [email được bảo vệ]
-----------------------
Email: [email được bảo vệ]
-----------------------
Mã sản phẩm của nhà sản xuất: 2SA1812T100Q
Mã Pbfree: Có
Mã vòng đời một phần: Đã lỗi thời
Nhà sản xuất Ihs: ROHM CO LTD
Nhà sản xuất: ROHM Semiconductor
Xếp hạng rủi ro: 5.63
Collector Hiện tại-Tối đa (IC): 0.5 A
Cấu hình: SINGLE
Độ lợi dòng điện DC-Min (hFE): 82
Mã JESD-30: R-PSSO-F3
Mã JESD-609: e2
Số phần tử: 1
Số lượng thiết bị đầu cuối: 3
Nhiệt độ hoạt động-Tối đa: 150 ° C
Vật liệu thân gói: NHỰA / EPOXY
Hình dạng gói: HÌNH HỘP CHỮ NHẬT
Phong cách gói: NHỎ OUTLINE
Nhiệt độ dòng chảy đỉnh (Cel): 260
Phân cực / Loại kênh: PNP
Công suất tiêu tán-Tối đa (Áp suất): 2 W
Trạng thái đủ điều kiện: Không đủ điều kiện
Danh mục con: Bóng bán dẫn khác
Gắn kết bề mặt: CÓ
Kết thúc đầu cuối: TIN COPPER
Dạng đầu cuối: FLAT
Vị trí đầu cuối: SINGLE
Thời gian
Si, TÍN HIỆU NHỎ Transistor
Mã Pbfree: Có
Mã vòng đời một phần: Đã lỗi thời
Nhà sản xuất Ihs: ROHM CO LTD
Nhà sản xuất: ROHM Semiconductor
Xếp hạng rủi ro: 5.63
Collector Hiện tại-Tối đa (IC): 0.5 A
Cấu hình: SINGLE
Độ lợi dòng điện DC-Min (hFE): 82
Mã JESD-30: R-PSSO-F3
Mã JESD-609: e2
Số phần tử: 1
Số lượng thiết bị đầu cuối: 3
Nhiệt độ hoạt động-Tối đa: 150 ° C
Vật liệu thân gói: NHỰA / EPOXY
Hình dạng gói: HÌNH HỘP CHỮ NHẬT
Phong cách gói: NHỎ OUTLINE
Nhiệt độ dòng chảy đỉnh (Cel): 260
Phân cực / Loại kênh: PNP
Công suất tiêu tán-Tối đa (Áp suất): 2 W
Trạng thái đủ điều kiện: Không đủ điều kiện
Danh mục con: Bóng bán dẫn khác
Gắn kết bề mặt: CÓ
Kết thúc đầu cuối: TIN COPPER
Dạng đầu cuối: FLAT
Vị trí đầu cuối: SINGLE
Thời gian
Si, TÍN HIỆU NHỎ Transistor