Fuji 6MBI450UM-170 là mô-đun nguồn được thiết kế cho các ứng dụng công suất cao như điều khiển động cơ, nguồn điện và bộ biến tần. Dưới đây là các thông số kỹ thuật và tính năng chính: Tính năng: Xếp hạng và đặc điểm tối đa:
#PM450CG1C065 Mitsubishi PM450CG1C065 Mới MISUBISHI Chuyển mạch công suất cao sử dụng loại cách điện VCES 650V / 450 A, #PM450CG1C065 Email: sales@shunlongwei.com https://www.slw-ele.com/pm450cg1c065.html FEATURE a) Adopting Full-Gate CSTBTTM chip. b) The over-temperature protection which detects the chip surface temperature of CSTBTTM is adopted. c) Error output signal is available from each protection upper and lower arm of IPM. […]
Chuỗi quy trình cho quang học silic nung chảy: chuỗi quy trình thông thường; b Dây chuyền xử lý laser CO2; c Phương pháp mô tả đặc tính SSD toàn khẩu độ trong không gian 3D. Tín dụng: Ánh sáng: Sản xuất nâng cao (2023). DOI: 10.37188/lam.2023.021 Các lỗi xử lý còn sót lại làm giảm đáng kể ngưỡng hư hỏng do tia laser gây ra (LIDT) của quang học silic nung chảy, điều này hạn chế nghiêm trọng hiệu suất và tuổi thọ của chúng trong các ứng dụng laser năng lượng cao. Nghiên cứu sâu rộng đã được […]
Mitsubishi CM450DX-24T là mô-đun IGBT (Transistor lưỡng cực có cổng cách điện) do Mitsubishi Electric sản xuất. Dưới đây là một số thông số kỹ thuật và thông tin chính về mô-đun này: Các mô-đun IGBT như Mitsubishi CM450DX-24T là các thành phần thiết yếu trong các ứng dụng điện tử công suất cao và công nghiệp khác nhau, nơi cần phải chuyển đổi và điều khiển hiệu quả dòng điện và điện áp cao.
Mô-đun IGBT Fuji 6MBI450VM-170-50: Giải phóng các khả năng nâng cao Khám phá Mô-đun IGBT Fuji 6MBI450VM-170-50, một cỗ máy mạnh mẽ về hiệu suất và hiệu quả được thiết kế riêng cho các nhu cầu điện đa dạng của bạn. Các tính năng chính tạo nên sự khác biệt: Các ứng dụng mang lại lợi ích: Xếp hạng tối đa và các đặc điểm cần thiết: Trải nghiệm sức mạnh của Fuji: Mô-đun IGBT 6MBI450VM-170-50 của Fuji cung cấp khả năng tuyệt vời cho […]
Các tính năng chính của FF450R12KT4: Điện kỳ diệu: Sức mạnh cơ học: Xếp hạng và Đặc điểm tối đa (Tc=25°C trừ khi được chỉ định):
Mitsubishi PM450CG1C065 là mô-đun Transistor lưỡng cực có cổng cách điện (IGBT) công suất cao được thiết kế và sản xuất bởi Tập đoàn Mitsubishi Electric. Nó tìm thấy các ứng dụng trong các hệ thống chuyển đổi năng lượng khác nhau, ứng dụng điều khiển động cơ và các hệ thống điện tử công suất cao khác. Dưới đây là các tính năng và thông số kỹ thuật chính của mô-đun này: PM450CG1C065 Các tính năng: a) Chip CSTBTTM Full-Gate: Mô-đun sử dụng Full-Gate […]
Mô-đun nguồn IGBT STARPOWER GD450HFT120C2S-GB được công nhận nhờ khả năng vượt trội, mang lại tổn thất dẫn điện tối thiểu và độ bền ngắn mạch vượt trội. Mô-đun này được thiết kế tỉ mỉ để phục vụ cho nhiều ứng dụng khác nhau, đặc biệt là những ứng dụng yêu cầu hiệu suất cao, chẳng hạn như bộ biến tần thông thường và nguồn điện liên tục (UPS). Tính năng Ứng dụng điển hình Xếp hạng tối đa tuyệt đối (ở TC=25°C trừ khi được chỉ định […]
FUJI 6RI75G-160 là mô-đun bán dẫn công suất được thiết kế cho các ứng dụng công nghiệp công suất cao. Dưới đây là các thông số kỹ thuật và tính năng chính của mô-đun này: Các tính năng của mô-đun: Tính năng bảo vệ tích hợp: Mã bộ phận của nhà sản xuất: 6RI75G-160 Mô tả gói: R-XUFM-X5 Số chân: 5 Nhà sản xuất: Fuji Electric Co Ltd Kết nối vỏ: Cấu hình biệt lập : Cầu, Phần tử điốt 6 phần tử Chất liệu: Điốt silicon […]