رقاقة تكنولوجيا قامت بتوسيع مجموعة أجهزة الطاقة GaN RF الخاصة بها بشكل كبير من خلال MMICs الجديدة والترانزستورات المنفصلة التي تغطي ترددات تصل إلى 20 جيجا هرتز. تجمع الأجهزة بين PAE العالي والخطية العالية لإنتاج مستويات أداء جديدة في تطبيقات تتراوح من 5G إلى الحرب الإلكترونية والاتصالات عبر الأقمار الصناعية وأنظمة الرادار التجارية والدفاعية ومعدات الاختبار.
مثل جميع منتجات طاقة GaN RF ، يتم تصنيع الأجهزة باستخدام تقنية GaN-on-silicon carbide التي توفر أفضل مزيج من كثافة الطاقة العالية والإنتاجية والعاليةالجهد االكهربى التشغيل وطول العمر لأكثر من مليون ساعة عند درجة حرارة تقاطع 255 درجة مئوية.
وهي تتألف من GaN MMICs التي تغطي 2 جيجاهرتز إلى 18 جيجاهرتز ، ومن 12 جيجاهرتز إلى 20 جيجاهرتز ، ومن 12 جيجاهرتز إلى 20 جيجاهرتز مع طاقة خرج RF بنقطة ضغط ثلاثية الأبعاد (P3dB) تصل إلى 3 وات وكفاءة تصل إلى 20 ٪ ، ومضخمات GaN MMIC المعبأة ومضخمات لـ S- و X - النطاق مع ما يصل إلى 25٪ PAE ، وأجهزة HEMT منفصلة تغطي DC إلى 60 جيجا هرتز مع طاقة خرج P14dB RF تصل إلى 3W وكفاءة قصوى تصل إلى 100٪.
قال ليون جروس ، نائب نائب الرئيس: "تواصل Microchip الاستثمار في عائلتنا من منتجات GaN RF لدعم كل تطبيق على جميع الترددات من الميكروويف إلى أطوال الموجات المليمترية ، وتشمل مجموعة منتجاتنا أكثر من 50 جهازًا ، من مستويات الطاقة المنخفضة إلى 2.2 كيلو واط". رئيس وحدة أعمال المنتجات المنفصلة بشركة Microchip. تمتد المنتجات التي تم الإعلان عنها اليوم معًا من 2 جيجاهرتز إلى 20 جيجاهرتز ، وهي مصممة لمواجهة تحديات الخطية والكفاءة التي تفرضها تقنيات التعديل عالية المستوى المستخدمة في شبكات الجيل الخامس والشبكات اللاسلكية الأخرى ، فضلاً عن الاحتياجات الفريدة للاتصالات الساتلية وتطبيقات الدفاع. "
تتراوح مجموعة أشباه الموصلات RF وأجهزة GaN من مضخمات ووحدات GaAs RF إلى مضخمات منخفضة الضوضاء ، و RFFEs ، و varactor ، و Schottky ، و PIN ، ومفاتيح RF ، ومخففات الجهد المتغير.
بالإضافة إلى ذلك، توفر الشركة أجهزة استشعار SAW عالية الأداء ومذبذبات MEMS ووحدات متكاملة للغاية تجمع بين وحدات MCU وأجهزة إرسال واستقبال الترددات اللاسلكية (واي فاي MCUs) التي تدعم بروتوكولات الاتصالات اللاسلكية الرئيسية قصيرة المدى من Bluetooth وWi-Fi إلى LoRa.