ชิป เทคโนโลยี ขยายกลุ่มผลิตภัณฑ์อุปกรณ์จ่ายไฟ GaN RF อย่างมีนัยสำคัญด้วย MMIC ใหม่และทรานซิสเตอร์แบบแยกซึ่งครอบคลุมความถี่สูงสุด 20GHz อุปกรณ์ดังกล่าวผสมผสาน PAE สูงและความเป็นเชิงเส้นสูงเพื่อสร้างระดับประสิทธิภาพใหม่ในแอปพลิเคชันต่างๆ ตั้งแต่ 5G ไปจนถึงสงครามอิเล็กทรอนิกส์ การสื่อสารผ่านดาวเทียม ระบบเรดาร์เชิงพาณิชย์และการป้องกัน และอุปกรณ์ทดสอบ
เช่นเดียวกับผลิตภัณฑ์พลังงาน GaN RF ทั้งหมด อุปกรณ์เหล่านี้ถูกประดิษฐ์ขึ้นโดยใช้เทคโนโลยี GaN-on-silicon คาร์ไบด์ที่ให้การผสมผสานที่ดีที่สุดของความหนาแน่นและผลผลิตกำลังสูงและสูงแรงดันไฟฟ้า การทำงานและอายุการใช้งานยาวนานกว่าหนึ่งล้านชั่วโมงที่อุณหภูมิทางแยก 255C
ประกอบด้วย GaN MMIC ที่ครอบคลุม 2GHz ถึง 18GHz, 12GHz ถึง 20GHz และ 12GHz ถึง 20GHz พร้อม 3dB Compression Point (P3dB) RF กำลังเอาต์พุตสูงสุด 20W และประสิทธิภาพสูงถึง 25% และ Bare Die และแอมพลิฟายเออร์ GaN MMIC ที่บรรจุหีบห่อสำหรับ S- และ X -แบนด์ที่มี PAE สูงถึง 60% และอุปกรณ์ HEMT แบบแยกซึ่งครอบคลุม DC ถึง 14GHz พร้อมเอาต์พุต P3dB RF สูงสุด 100W และประสิทธิภาพสูงสุด 70%
“ไมโครชิปยังคงลงทุนในกลุ่มผลิตภัณฑ์ GaN RF ของเราต่อไป เพื่อรองรับทุกการใช้งานในทุกความถี่ตั้งแต่ไมโครเวฟจนถึงความยาวคลื่นมิลลิเมตร และกลุ่มผลิตภัณฑ์ของเราประกอบด้วยอุปกรณ์มากกว่า 50 รายการ ตั้งแต่ระดับพลังงานต่ำจนถึง 2.2kW” Leon Gross รองประธานกล่าว ประธานฝ่ายธุรกิจผลิตภัณฑ์แบบแยกส่วนของไมโครชิป ผลิตภัณฑ์ที่ประกาศในวันนี้มีความถี่ตั้งแต่ 2GHz ถึง 20GHz ร่วมกัน และได้รับการออกแบบมาเพื่อตอบสนองความท้าทายเชิงเส้นตรงและประสิทธิภาพที่เกิดจากเทคนิคการมอดูเลตขั้นสูงที่ใช้ใน 5G และเครือข่ายไร้สายอื่นๆ ตลอดจนความต้องการเฉพาะของการสื่อสารผ่านดาวเทียมและแอปพลิเคชันการป้องกัน ”
กลุ่มผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์ RF และอุปกรณ์ GaN มีตั้งแต่แอมพลิฟายเออร์และโมดูล GaAs RF ไปจนถึงแอมพลิฟายเออร์สัญญาณรบกวนต่ำ, RFFE, varactor, Schottky และ PIN ไดโอด, สวิตช์ RF และตัวลดทอนแรงดันไฟฟ้า
นอกจากนี้ บริษัทยังจัดหาเซ็นเซอร์ SAW ประสิทธิภาพสูงและออสซิลเลเตอร์ MEMS และโมดูลที่มีการผสานรวมในระดับสูงซึ่งรวม MCU เข้ากับตัวรับส่งสัญญาณ RF (Wi-Fi MCU) ที่รองรับโปรโตคอลการสื่อสารไร้สายระยะสั้นหลักตั้งแต่ Bluetooth และ Wi-Fi ไปจนถึง LoRa