أوراق البيانات: MLO75، MMO75 المستندات الأخرى ذات الصلة: SCR وحدة دليل الاختيار الحزمة القياسية: 20 الفئة: منفصلة أشباه الموصلات عائلة المنتجات: SCRs - سلسلة الوحدات: - التغليف: صندوق الهيكل: وحدة تحكم أحادية الطور - SCR/صمام ثنائي عدد SCRs، الثنائيات: 1 SCR، 1 صمام ثنائي الجهد - خارج الحالة: 1 فولت التيار - مشغل البوابة (Igt) (الحد الأقصى): 1600 مللي أمبير التيار - في الحالة (It) (AV)) (الحد الأقصى): 150 تيارًا - في الحالة (It (RMS)) (الحد الأقصى): 39 تيارًا - عدم تكرار الارتفاع 62، 50 هرتز (Itsm): 60 أمبير، 1150 تيارًا - الانتظار (Ih) (الحد الأقصى): 1230 مللي أمبير نوع التركيب: الحزمة/العلبة: وحدة تثبيت الهيكلMLO75-16IO1 IXYS MLO75-16IO1 المعدل الجديد للسيليكون ، 62A I (T) RMS ، 39000mA I (T) ، 1600V V (DRM) ، 1600V V (RRM) ، 1 Element ، MODULE-3 ، صور MLO75-16IO1 ، سعر MLO75-16IO1 ، مورد MLO75-16IO1 #
-----------------------
البريد الإلكتروني: [البريد الإلكتروني محمي]
-----------------------
البريد الإلكتروني: [البريد الإلكتروني محمي]
-----------------------
رقم الجزء المصنع: MLO75-16IO1
كود Rohs: نعم
رمز دورة الحياة الجزئية: مهمل
الشركة المصنعة IHS: التاسع CORP
كود حزمة الجزء: MODULE
وصف العبوة: FLANGE MOUNT ، R-XUFM-T3
دبوس عدد: 3
كود HTS: 8541.30.00.80
الشركة المصنعة: شركة IXYS
ترتيب المخاطرة: 5.82
اتصال الحالة: معزول
التكوين: مفرد مع ديود مدمج
DC Gate Trigger الحالي - الحد الأقصى: 150 مللي أمبير
مشغل بوابة DC الجهد االكهربى- الحد الأقصى: 1.5 فولت
تنازلي. عدد التوصيلات السريعة: 0
تنازلي. عدد المحطات اللولبية: 0
عقد الحالي ماكس: 100 مللي أمبير
JESD-30 كود: R-XUFM-T3
JESD-609 كود: e4
تسرب التيار الأقصى: 15 مللي أمبير
غير متكرر Pk On-state Cur: 1200 أ
عدد العناصر: 1
عدد المحطات: 3
على الدولة الحالية - ماكس: 39000 أ
درجة حرارة التشغيل: 125 درجة مئوية
درجة حرارة التشغيل - الحد الأدنى: -40 درجة مئوية
حزمة مواد الجسم: غير محدد
شكل العبوة: مستطيل
نمط العبوة: FLANGE MOUNT
درجة حرارة الانحدار القصوى (سل): 260
حالة التأهيل: غير مؤهل
RMS On-state Current-Max: 62 أ
الذروة المتكررة خارج الحالة الجهد االكهربى: 1600 V
تكرار الذروة العكسي الجهد االكهربى: 1600 V
التصنيف الفرعي: السيليكون المتحكم فيه مقومات
جبل السطح: لا
النهاية الطرفية: فضي (Ag)
شكل المحطة: من خلال حفرة
موقف المحطة: العلوي
الوقت:
معدل التحكم بالسيليكون ، 62A I (T) RMS ، 39000mA I (T) ، 1600V V (DRM) ، 1600V V (RRM) ، 1 Element ، MODULE-3
كود Rohs: نعم
رمز دورة الحياة الجزئية: مهمل
الشركة المصنعة IHS: التاسع CORP
كود حزمة الجزء: MODULE
وصف العبوة: FLANGE MOUNT ، R-XUFM-T3
دبوس عدد: 3
كود HTS: 8541.30.00.80
الشركة المصنعة: شركة IXYS
ترتيب المخاطرة: 5.82
اتصال الحالة: معزول
التكوين: مفرد مع ديود مدمج
DC Gate Trigger الحالي - الحد الأقصى: 150 مللي أمبير
مشغل بوابة DC الجهد االكهربى- الحد الأقصى: 1.5 فولت
تنازلي. عدد التوصيلات السريعة: 0
تنازلي. عدد المحطات اللولبية: 0
عقد الحالي ماكس: 100 مللي أمبير
JESD-30 كود: R-XUFM-T3
JESD-609 كود: e4
تسرب التيار الأقصى: 15 مللي أمبير
غير متكرر Pk On-state Cur: 1200 أ
عدد العناصر: 1
عدد المحطات: 3
على الدولة الحالية - ماكس: 39000 أ
درجة حرارة التشغيل: 125 درجة مئوية
درجة حرارة التشغيل - الحد الأدنى: -40 درجة مئوية
حزمة مواد الجسم: غير محدد
شكل العبوة: مستطيل
نمط العبوة: FLANGE MOUNT
درجة حرارة الانحدار القصوى (سل): 260
حالة التأهيل: غير مؤهل
RMS On-state Current-Max: 62 أ
الذروة المتكررة خارج الحالة الجهد االكهربى: 1600 V
تكرار الذروة العكسي الجهد االكهربى: 1600 V
التصنيف الفرعي: السيليكون المتحكم فيه مقومات
جبل السطح: لا
النهاية الطرفية: فضي (Ag)
شكل المحطة: من خلال حفرة
موقف المحطة: العلوي
الوقت:
معدل التحكم بالسيليكون ، 62A I (T) RMS ، 39000mA I (T) ، 1600V V (DRM) ، 1600V V (RRM) ، 1 Element ، MODULE-3