Schede tecniche:MLO75, MMO75Altri documenti correlati:SCR Moduli Guida alla selezionePacchetto standard:20Categoria:Discreti Semiconduttore Famiglia di prodotti:SCR – ModuliSerie:-Confezione:Struttura a scatola:Controller monofase – SCR/DiodoNumero di SCR, Diodi:1 SCR, 1 diodoTensione – Stato spento:1VCorrente – Innesco gate (Igt) (Max):1600 mACorrente – Stato acceso (It (AV)) (Max):150ACorrente – Stato attivo (It (RMS)) (Max):39ACorrente – Non rep. Surge 62, 50Hz (Itsm):60A, 1150ACcorrente – Hold (Ih) (Max):1230mAMTipo di montaggio: Montaggio su telaioPacchetto/custodia:Modulo n.MLO75-16IO1 IXYS MLO75-16IO1 Nuovo raddrizzatore controllato al silicio, 62A I(T)RMS, 39000mA I(T), 1600V V(DRM), 1600V V(RRM), 1 elemento, MODULE-3, immagini MLO75-16IO1, prezzo MLO75-16IO1 , fornitore #MLO75-16IO1
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Email: [email protected]
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Codice articolo produttore: MLO75-16IO1
Codice Rohs: Sì
Codice del ciclo di vita della parte: obsoleto
Produttore: IXYS CORPO
Codice confezione parte: MODULO
Descrizione del pacchetto: MONTAGGIO A FLANGIA, R-XUFM-T3
Numero pin: 3
Codice HTS: 8541.30.00.80
Produttore: IXYS Corporation
Grado di rischio: 5.82
Collegamento case: ISOLATO
Configurazione: SINGOLA CON DIODO INTEGRATO
Corrente di trigger del gate CC-Max: 150 mA
Trigger del cancello DC voltaggio-Max: 1.5 V
Desc. di connessioni rapide: 0
Desc. di terminali a vite: 0
Massima corrente di mantenimento: 100 mA
Codice JESD-30: R-XUFM-T3
Codice JESD-609: e4
Corrente di dispersione massima: 15 mA
Pk On-state Cur non ripetitivo: 1200 A.
Numero di elementi: 1
Numero di terminali: 3
Corrente massima in stato on: 39000 A.
Temperatura di esercizio-Max: 125 ° C
Temperatura di esercizio-Min: -40 ° C
Materiale del corpo del pacchetto: non specificato
Forma del pacchetto: RETTANGOLARE
Stile pacchetto: ATTACCO A FLANGIA
Temperatura di riflusso di picco (Cel): 260
Stato della qualifica: non qualificato
Corrente di stato On RMS-Max: 62 A.
Picco ripetitivo fuori stato voltaggio: 1600 V
Picco inverso ripetitivo voltaggio: 1600 V
Sottocategoria: Silicio controllato Raddrizzatori
Montaggio superficiale: NO
Finitura terminale: Argento (Ag)
Modulo terminale: PASSANTE
Posizione terminale: SUPERIORE
Ora
Raddrizzatore controllato al silicio, 62A I(T)RMS, 39000mA I(T), 1600V V(DRM), 1600V V(RRM), 1 elementi, MODULO-3
Codice Rohs: Sì
Codice del ciclo di vita della parte: obsoleto
Produttore: IXYS CORPO
Codice confezione parte: MODULO
Descrizione del pacchetto: MONTAGGIO A FLANGIA, R-XUFM-T3
Numero pin: 3
Codice HTS: 8541.30.00.80
Produttore: IXYS Corporation
Grado di rischio: 5.82
Collegamento case: ISOLATO
Configurazione: SINGOLA CON DIODO INTEGRATO
Corrente di trigger del gate CC-Max: 150 mA
Trigger del cancello DC voltaggio-Max: 1.5 V
Desc. di connessioni rapide: 0
Desc. di terminali a vite: 0
Massima corrente di mantenimento: 100 mA
Codice JESD-30: R-XUFM-T3
Codice JESD-609: e4
Corrente di dispersione massima: 15 mA
Pk On-state Cur non ripetitivo: 1200 A.
Numero di elementi: 1
Numero di terminali: 3
Corrente massima in stato on: 39000 A.
Temperatura di esercizio-Max: 125 ° C
Temperatura di esercizio-Min: -40 ° C
Materiale del corpo del pacchetto: non specificato
Forma del pacchetto: RETTANGOLARE
Stile pacchetto: ATTACCO A FLANGIA
Temperatura di riflusso di picco (Cel): 260
Stato della qualifica: non qualificato
Corrente di stato On RMS-Max: 62 A.
Picco ripetitivo fuori stato voltaggio: 1600 V
Picco inverso ripetitivo voltaggio: 1600 V
Sottocategoria: Silicio controllato Raddrizzatori
Montaggio superficiale: NO
Finitura terminale: Argento (Ag)
Modulo terminale: PASSANTE
Posizione terminale: SUPERIORE
Ora
Raddrizzatore controllato al silicio, 62A I(T)RMS, 39000mA I(T), 1600V V(DRM), 1600V V(RRM), 1 elementi, MODULO-3