أصدرت STMicroelectronics أول تصميم مرجعي لحزم الطاقة MasterGaN الخاصة بها ، مما يوضح كيف تزيد الأجهزة الجديدة المتكاملة للغاية من كثافة الطاقة ، وتعزز كفاءة الطاقة ، وتبسط التصميم ، وتسريع الوقت للتسويق.
التصميم المرجعي EVLMG1-250WLLC هو رنين بقدرة 250 وات محول مع مخطط لوحة 100 مم × 60 مم وأقصى ارتفاع للمكون 35 مم. إنه يتميز بـ MasterGaN1 ، الذي يحتوي على محرك بوابة STDRIVE نصف جسر متصل على النحو الأمثل بترانزستورين GaN بجهد 650 فولت مع معلمات توقيت متطابقة ، ومقاومة 150 متر مكعب (Rds (on)) ، وأقصى معدل تيار 10A. المدخلات المنطقية متوافقة مع الإشارات من 3.3 فولت إلى 15 فولت.
يعد MasterGaN1 مناسبًا لطبولوجيا التبديل الناعم عالية الكفاءة بما في ذلك المحولات الرنانة ، ومحولات الارتداد المشبك النشط أو المحولات الأمامية ، و PFC بدون جسور (تصحيح عامل الطاقة) في إمدادات الطاقة AC / DC ، ومحولات DC / DC ، ومحولات التيار المستمر / التيار المتردد ما يصل إلى 400 واط.
يعمل الجانب الأساسي بدون خافض للحرارة ، مما يعزز الكفاءة العالية لترانزستورات الطاقة GaN. بالإضافة إلى ذلك ، يسمح أداء التحويل الفائق لـ GaN بتردد تشغيل أعلى من السيليكون العادي الدوائر المتكاملة منخفضة المقاومة، مما يسمح للمكونات والمكثفات المغناطيسية الأصغر لزيادة كثافة الطاقة وتقليل فاتورة المواد.
تم تصميم EVLMG400-1WLLC لتزويد 250V الاسمي ، ويوفر خرج 24V / 10A ويحقق أقصى قدر من الكفاءة فوق 94٪. بالاستفادة من ميزات السلامة المتكاملة لـ MasterGaN ، يتم حماية خرج المحول من الدوائر القصيرة والتيار الزائد. هناك أيضًا حماية من اللون البني ومدخل-الجهد االكهربى الشاشة التي تسمح بالتسلسل داخل مجموعة من محولات DC / DC وتمنع المحرك من البدء في ظل ظروف الجهد المنخفض.
تشتمل عائلة ST's MasterGaN على منتجات نصف جسر متكاملة متوافقة مع الدبوس بما في ذلك التكوينات المتماثلة وغير المتماثلة ، والموجودة في حزمة GQFN منخفضة الارتفاع مقاس 9 مم × 9 مم. تحتوي الحزم على دوائر كهربائية مصنفة حتى 650 فولت ، ولها مسافة زحف تزيد عن 2 مم بين وسادات الجهد العالي والمنخفض. تتوفر وحدات MasterGaN في تصنيفات طاقة مختلفة ، مما يسمح للمهندسين بتوسيع نطاق تصاميمهم مع الحد الأدنى من تغييرات الأجهزة.
لمزيد من المعلومات، يرجى زيارة www.st.com