STMicroelectronics פרסמה את עיצוב הפניה הראשון לחבילות הכוח של MasterGaN, המדגימה כיצד המכשירים החדשים המשולבים מאוד מגדילים את צפיפות הספק, מגבירים את יעילות האנרגיה, מפשטים את התכנון ומאיצים את זמן השוק.
עיצוב הפניה EVLMG1-250WLLC הוא מהדהד 250W מֵמִיר עם מתאר לוח 100 מ"מ x 60 מ"מ וגובה רכיב מקסימלי 35 מ"מ. הוא כולל את ה- MasterGaN1, המכיל נהג שער אחד של STDRIVE בעל חצי גשר המחובר בצורה אופטימלית לשני טרנזיסטורי GaN רגילים מחוץ לכביש עם פרמטרי תזמון תואמים, התנגדות של 650mΩ (Rds (on)) ודירוג זרם מקסימלי של 150A. כניסות ההיגיון תואמות לאותות מ -10 וולט ל -3.3 וולט.
MasterGaN1 מתאים לטופולוגיות מיתוג רכות יעילות במיוחד, כולל ממירים מהדהדים, מהדקים פעילים או מהפכים קדימה, ו- PFC עם מוט-טוטם ללא גשר (תיקון מקדם הספק) בספקי מתח AC / DC, ממירי DC / DC וממירי DC / AC עד 400W.
הצד העיקרי פועל ללא צלעות קירור, ומנצל את היעילות הגבוהה של טרנזיסטורי הכוח של GaN. בנוסף, ביצועי המיתוג המעולים של GaN מאפשרים תדר הפעלה גבוה יותר מסיליקון רגיל מוספים, המאפשר רכיבים וקבלים מגנטיים קטנים יותר לצפיפות הספק גדולה יותר ולהפחתת חשבון חומרים.
ה- EVLMG400-1WLLC, שתוכנן עבור אספקת 250 וולט סמלי, מספק פלט של 24 וולט / 10 A ומשיג יעילות מרבית מעל 94%. נהנה מתכונות הבטיחות המשולבות של MasterGaN, יציאת הממיר מוגנת מפני מעגלים קצרים וזרם יתר. יש גם הגנה להשחמה וכניסה -מתח צג המאפשר רצף בתוך מערך ממירי DC / DC ומונע את התחלת המנוע בתנאי מתח נמוך.
משפחת ה- MasterGaN של ST כוללת מוצרים משולבים למחצה של חצי גשר, כולל תצורות סימטריות ואסימטריות, השוכנות בחבילה GQFN נמוכה בפרופיל של 9 מ"מ x 9 מ"מ. המכילים מעגלים מדורגים עד 650 וולט, לחבילות יש מרחק של 2 מ"מ זחילה בין רפידות מתח גבוה למתח נמוך. מודולי MasterGaN זמינים בדירוגי הספק שונים, מה שמאפשר למהנדסים לשנות את עיצוביהם בשינויים מינימליים בחומרה.
לקבלת מידע נוסף, בקר www.st.com