ميتسوبيشي TM55DZ-H في المخزن

#TM55DZ-ح Mitsubishi TM55DZ-H مقوم السيليكون الجديد 86.35AI (T) RMS 55000mA I (T) 800V V (DRM) 800V V (RRM) 2 Element ، صور TM55DZ-H ، سعر TM55DZ-H ، مورد TM55DZ-H #
-----------------------
البريد الإلكتروني: sales@shunlongwei.com

https://www.slw-ele.com/tm55dz-h.html

-----------------------

رقم جزء الشركة المصنعة: TM55DZ-H
رمز دورة الحياة الجزئية: غير مستحسن
الشركة المصنعة Ihs: MITSUBISHI ELECTRIC CORP
وصف العبوة: FLANGE MOUNT ، R-PUFM-X7
كود HTS: 8541.30.00.80
الشركة المصنعة: Mitsubishi Electric
ترتيب المخاطرة: 5.72
اتصال الحالة: معزول
التكوين: SERIES CONNECTED ، CENTER TAPPED
DC Gate Trigger الحالي - الحد الأقصى: 100 مللي أمبير
مشغل بوابة DC الجهد االكهربى- الحد الأقصى: 3 فولت
تنازلي. عدد التوصيلات السريعة: 2G-2GR
تنازلي. عدد المحطات اللولبية: AK-AK
JESD-30 كود: R-PUFM-X7
تسرب التيار الأقصى: 10 مللي أمبير
غير متكرر Pk On-state Cur: 1100 أ
عدد العناصر: 2
عدد المحطات: 7
على الدولة الحالية - ماكس: 55000 أ
درجة حرارة التشغيل: 125 درجة مئوية
درجة حرارة التشغيل - الحد الأدنى: -40 درجة مئوية
مواد جسم العبوة: بلاستيك / إيبوكسي
شكل العبوة: مستطيل
نمط العبوة: FLANGE MOUNT
حالة التأهيل: غير مؤهل
RMS On-state Current-Max: 86.35 أ
الجهد المتكرر خارج الحالة القصوى: 800 فولت
الجهد العكسي المتكرر: 800 فولت
التصنيف الفرعي: مقومات التحكم بالسيليكون
جبل السطح: لا
نموذج المحطة: غير محدد
موقف المحطة: العلوي
نوع جهاز الزناد: SCR
معدل التحكم بالسيليكون 86.35AI (T) RMS 55000mA I (T) 800V V (DRM) 800V V (RRM) 2 عنصر