Mitsubishi TM55DZ-H Disponibile

#TM55DZ-H Mitsubishi TM55DZ-H Nuovo raddrizzatore controllato al silicio 86.35AI (T) RMS 55000mA I (T) 800V V (DRM) 800V V (RRM) 2 elementi, immagini TM55DZ-H, prezzo TM55DZ-H, fornitore # TM55DZ-H
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Codice articolo produttore: TM55DZ-H
Codice del ciclo di vita della parte: non consigliato
Ihs Produttore: MITSUBISHI ELECTRIC CORP
Descrizione del pacchetto: FLANGE MOUNT, R-PUFM-X7
Codice HTS: 8541.30.00.80
Produttore: Mitsubishi Electric
Grado di rischio: 5.72
Collegamento case: ISOLATO
Configurazione: SERIE CONNESSA, MASCHIATA CENTRALE
Corrente di trigger del gate CC-Max: 100 mA
Trigger del cancello DC voltaggio-Max: 3 V
Desc. di connessioni rapide: 2G-2GR
Desc. di terminali a vite: AK-AK
Codice JESD-30: R-PUFM-X7
Corrente di dispersione massima: 10 mA
Pk On-state Cur non ripetitivo: 1100 A.
Numero di elementi: 2
Numero di terminali: 7
Corrente massima in stato on: 55000 A.
Temperatura di esercizio-Max: 125 ° C
Temperatura di esercizio-Min: -40 ° C
Materiale corpo confezione: PLASTICA / EPOSSIDICA
Forma del pacchetto: RETTANGOLARE
Stile pacchetto: ATTACCO A FLANGIA
Stato della qualifica: non qualificato
Corrente di stato On RMS-Max: 86.35 A.
Tensione di picco ripetitiva fuori stato: 800 V.
Tensione inversa di picco ripetitiva: 800 V.
Sottocategoria: Raddrizzatori controllati al silicio
Montaggio superficiale: NO
Modulo terminale: non specificato
Posizione terminale: SUPERIORE
Tipo di dispositivo trigger: SCR
Raddrizzatore controllato al silicio 86.35AI (T) RMS 55000mA I (T) 800V V (DRM) 800V V (RRM) 2 elementi