يتبع مجسات ضغط نفس الفريق مصنوع من نيتريد الغاليوم أحادي البلورة ، والذي انخفضت حساسيته فوق 350 درجة مئوية.
ووفقًا لهيوستن ، "اعتقد الفريق أن الانخفاض في الحساسية يرجع إلى أن فجوة الحزمة ليست واسعة بما يكفي". "لاختبار الفرضية ، طوروا أ مدخل بطاقة الذاكرة : نعم مع نيتريد الألومنيوم ".
وبعد التعامل مع التحديات التقنية لتركيب وتصنيع الأغشية الرقيقة المرنة AlN ذات الجودة العالية ، نجحت الشركة - في إنتاج جهاز له "أعلى درجة حرارة تشغيل بين أجهزة الاستشعار الكهروضغطية" ، كما قال الباحث نام-إن كيم.
جهد خرج المستشعر من 73.3 إلى 143.2mV استجابة للتغيرات من 50 إلى 200psi عند 800 درجة مئوية.
علاوة على ذلك ، أدى الانخفاض في معامل الحجاب الحاجز يونغ وتوليد ناقلات حرة إلى تدهور الأداء إلى حد ما.
صنع الباحثون أيضًا أغشية AlN متعددة البلورات وأغشية GaN أحادية البلورية للمقارنة.
يوفر AlN ثباتًا وقوة كيميائية وحرارية كبيرة ، ويمكن أن تستفيد المنشآت النووية ، وفقًا لفريق البحث ، حيث يمكن أن تعمل مستشعرات AlN في الأجواء المعرضة للنيوترون.
تم نشر العمل على أنه "مستشعرات كهرضغطية تعمل في درجات حرارة عالية جدًا وفي بيئات شديدة الصعوبة مصنوعة من أفلام AlN رقيقة أحادية البلورية ذات فجوة الحزمة المرنة" في مواد وظيفية متقدمة.
عرض المزيد : وحدات IGBT | شاشات الكريستال السائل | مكونات إلكترونية