Es heißt INN40W08 und ist ein 40-V-Gerät, das in beide Richtungen blockieren kann (im Gegensatz zu einzelnen Silizium-Mosfets, bei denen zwei für den bidirektionalen Betrieb benötigt werden).
Nominell hat es ein Gate, zwei Drains und keine Source.
Das Unternehmen sieht es in High-Side-Lastschaltern zum Über-Spannung Schutz in Telefon-USB-Ports und als Rail-Switch in Multi-PSU-Systemen.
Bei 25 °C hat das 2 x 2 mm Chip-Scale-Bauelement typischerweise einen Einschaltwiderstand von 7.8 mΩmax (5.5 mΩ typ.) (Vg=5V), eine Gate-Ladung von 12.7nC (Vdrain-Drain=20V) und kann kontinuierlich 15A verarbeiten.
Wie bei den meisten HEMTs muss das Gate sorgfältig gesteuert werden – es benötigt eine Gate-Drain-Spannung von 5 V, um zu funktionieren, aber die maximale Gate-Drain-Spannung beträgt 6 V. Der gepulste Drain-Drain-Spitzenstrom kann bis zu 100 A betragen und der Betrieb liegt bei über -40 bis 125 °C. Der Wärmewiderstand zwischen Anschluss und Platine beträgt 11.8 °C/W.
Die 40-V-Drain-zu-Drain-Durchbruchspannung ist symmetrisch (Idd=500μA) und der Drain-Drain-Strom bei Null-Gate-Spannung beträgt max. 200μA.
Bei 85 °C beträgt der Gate-Einschaltstrom 3 μA max (500 nA typ), während der Gate-Rückstrom (Vg = -5 V) im schlimmsten Fall -30 μA beträgt. Die typische Gate-Schwellenspannung beträgt 1.5 V (Idd = 1 mA).
Die Produktseite ist derzeit nicht verfügbar – das Unternehmen überarbeitet seine Website.
Innoscience (auch bekannt als Innosecco (Zhuhai)) wurde 2015 gegründet und hat seinen Sitz in Guangdong. Technologie Co) stellt GaN-Geräte her, unter anderem auf 200-mm-GaN-auf-Silizium-Wafern. Das Unternehmen verfügt über europäische und US-amerikanische Niederlassungen in Leuven, Belgien und im Silicon Valley.