New Yorker Electronics hat die neuen industrietauglichen DDR5-DRAM-Module von Innodisk veröffentlicht. Der JESD79-5 DDR5 SDRAM bietet bemerkenswerte Verbesserungen in Bezug auf Kapazität, Geschwindigkeit, Spannung und ECC-Funktionen. Die Module entsprechen allen relevanten JEDEC-Standards und werden in 16GB und 32GB Kapazitäten mit 4800MT/s angeboten.
Die DDR5-Spezifikation bietet bis zu viermal so viel Kapazität pro IC, wodurch die maximal erreichbare Kapazität pro Die auf 64 GB erhöht und die maximale potenzielle Kapazität für ein einzelnes DDR5-DIMM auf 128 GB erhöht wird. Der DDR5-DRAM hat auch eine theoretische maximale Übertragungsgeschwindigkeit von 6400MT/s und verdoppelt damit die Rate seines Vorgängers DDR4. Außerdem wurde die Spannung von 1.2 V auf 1.1 V gesenkt, was den Gesamtstromverbrauch verringert.
Eine weitere strukturelle Änderung besteht darin, dass die Energieverwaltung auf das DIMM verlagert wurde, wodurch redundante Energieverwaltungsschaltungen auf dem Motherboard für ungenutzte DIMM-Steckplätze wie in früheren Generationen verringert werden. Bei DDR5 verfügt jedes DIMM über zwei 40-Bit-Kanäle (32 Datenbits, jeweils acht ECC-Bits) für die gleiche Datensumme mit mehr ECC-Bits. Zwei kleinere unabhängige Kanäle verbessern die Speicherzugriffseffizienz, was zu höheren Geschwindigkeiten bei höherer Effizienz führt. Innodisk bietet derzeit DDR5 mit bis zu 32 GB und 4800 MT/s an.
Typische Anwendungsbereiche sind Industrie/Embedded, Überwachung, Automatisierung und Gesundheitswesen.