New Yorker Electronics heeft de nieuwe Innodisk Industrial-grade DDR5 DRAM-modules uitgebracht. De JESD79-5 DDR5 SDRAM biedt opmerkelijke verbeteringen in capaciteit, snelheid, spanning en ECC-functies. De modules voldoen aan alle relevante JEDEC-normen en worden aangeboden in 16GB en 32GB capaciteiten, als 4800MT/s.
De DDR5-specificatie biedt tot vier keer zoveel capaciteit per IC, waardoor de maximaal haalbare capaciteit per chip wordt verhoogd tot 64 GB en de maximale potentiële capaciteit voor een enkele DDR5 DIMM op 128 GB komt. De DDR5 DRAM heeft ook een theoretische maximale overdrachtssnelheid van 6400MT/s, een verdubbeling van de snelheid van zijn voorganger, DDR4. Ook is de spanning verlaagd van 1.2 V naar 1.1 V, waardoor het totale stroomverbruik is afgenomen.
Een andere structurele verandering is dat het energiebeheer is verplaatst naar de DIMM, waardoor de redundante stroombeheercircuits op het moederbord voor ongebruikte DIMM-slots zijn verminderd, zoals in eerdere generaties. Voor DDR5 heeft elke DIMM twee 40-bits kanalen (32 databits, acht ECC-bits elk) voor hetzelfde datatotaal met meer ECC-bits. Twee kleinere onafhankelijke kanalen verbeteren de efficiëntie van de geheugentoegang, wat leidt tot hogere snelheden met een hogere efficiëntie. Innodisk biedt momenteel DDR5 tot 32GB en 4800MT/s aan.
Typische toepassingsgebieden zijn onder meer industrieel/embedded, bewaking, automatisering en gezondheidszorg.