EPC kündigt strahlungsgehärtete eGaN-Transistoren und -ICs an
EPC hat eine neue Familie von strahlungsgehärteten Galliumnitrid-Transistoren und integrierten Schaltkreisen vorgestellt.
Diese Geräte bieten einen geringeren Widerstand und eine niedrigere Gate-Ladung und ermöglichen schnellere Schaltfrequenzen der Stromversorgung, was zu höheren Leistungsdichten, höheren Wirkungsgraden und kompakteren und leichteren Schaltungen für kritische Raumfahrtmissionen führt. Galliumnitrid ist von Natur aus strahlungstolerant, was diese GaN-basierten Bauelemente zu einer zuverlässigen, leistungsfähigeren Leistung macht Transistor Option für Raumfahrtanwendungen.
Zu den Anwendungen, die von diesen Produkten profitieren, gehören Stromversorgungen für Satelliten und Missionsausrüstung, Lichterkennung und Entfernungsmessung (Lidar) für Robotik und autonome Navigation und Rendezvous-Docking, Motorantriebe für Robotik und Instrumentierung und Ionentriebwerke für die Satellitenausrichtung und -positionierung sowie interplanetare Antrieb von Roboterfahrzeugen mit geringer Masse.
Der EPC7014, ein 60 V, 340 mΩ, 4 AGepulst, radharter eGaN FET in winzigen 0.81 mm2 Footprint, ist der erste in einer breitgefächerten Familie von radharten Transistoren und integrierten Schaltkreisen. Der EPC7014 hat eine Gesamtdosis von mehr als 1 Mrad und eine SEE-Immunität für LET von 85 MeV/(mg/cm2). Diese Geräte werden in einem Chip-Scale-Gehäuse angeboten, ebenso wie die kommerziellen eGaN FET- und IC-Familien.
Gepackte Versionen werden von EPC Space erhältlich sein.