#BSM300GA120DN2S EUPEC BSM300GA120DN2S Neu 300A / 1200V /IGBT/ 1U;IGBT Module 1200V 300A SINGLE, BSM300GA120DN2S Bilder, BSM300GA120DN2S Preis, #BSM300GA120DN2S Lieferant
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E-Mail: sales@shunlongwei.com
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BSM300GA120DN2S
Hersteller: Infineon
Produktkategorie: IGBT Module
RoHS: Nein
Marke: Infineon Technologies
Produkt: IGBT Siliziummodule
Konfiguration: Single
Sammler-Emitter Spannung VCEO-Max.: 1200 V
Kollektor-Emitter-Sättigung Spannung: 2.5 V
Kontinuierlicher Kollektorstrom bei 25 ° C: 430 A
Gate-Emitter-Leckstrom: 320 k.A
Pd - Verlustleistung: 2500 W
Paket / Fall: 62mm
Maximale Betriebstemperatur: + 150 C
Maximaler Gate-Emitter Spannung: +/- 20 V.
Minimale Betriebstemperatur: - 40 C.
Montageart: Schraube
Factory Pack Menge: 1
300A / 1200V /IGBT/1U;IGBT-Module 1200 V 300 A EINZELN
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