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Courriel: sales@shunlongwei.com
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BSM300GA120DN2S
Fabricant: Infineon
Catégorie de produits: IGBT Modules
RoHS: Non
Marque: Infineon Technologies
Produit: IGBT Modules de silicium
Configuration: Simple
Collecteur-émetteur Tension VPEO Max : 1200 V
Saturation collecteur-émetteur Tension: 2.5 V
Courant de collecteur continu à 25 C: A 430
Courant de fuite porte-émetteur: 320 na
Pd - Dissipation de puissance: 2500 W
Paquet / Cas: 62 mm
Température de fonctionnement maximale: + 150°C
Émetteur de porte maximum Tension: +/- 20V
Température minimale de fonctionnement: - 40 C
Style de montage: Vis
Quantité de paquet d'usine: 1
300A / 1200V /IGBT/1U ;Modules IGBT 1200 300 V XNUMX A SIMPLE
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