#BSM50GB120DLC EUPEC BSM50GB120DLC Neues Bipolar mit isoliertem Gate Transistor 115A I(C) 1200V V(BR)CES N-Kanal MODULE-7, BSM50GB120DLC-Bilder, BSM50GB120DLC-Preis, #BSM50GB120DLC-Lieferant
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E-Mail: sales@shunlongwei.com
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Hersteller-Teilenummer: BSM50GB120DLC
Pbfree Code: Ja
Teilelebenszykluscode: Nicht empfohlen
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Teilepaketcode: MODUL
Paketbeschreibung: MODUL-7
Pin-Anzahl: 7
ECCN-Code: EAR99
Hersteller: Infineon Technologies AG
Risikorang: 7.57
Gehäuseverbindung: ISOLIERT
Sammler Strom-Max (IC): 115 A
Sammler-Emitter Spannung-Max: 1200 V.
Konfiguration: SERIE ANGESCHLOSSEN, ZENTRUM, 2 ELEMENTE MIT EINGEBAUTER DIODE
Gate-Emitter Spannung-Max: 20 V.
JESD-30-Code: R-XUFM-X7
Anzahl der Elemente: 2
Anzahl der Terminals: 7
Betriebstemperatur-Max: 150 ° C.
Verpackungskörpermaterial: NICHT SPEZIFIZIERT
Verpackungsform: RECHTECKIG
Verpackungsstil: FLANSCHHALTERUNG
Reflow-Spitzentemperatur (Cel): NICHT ANGEGEBEN
Polarität / Kanaltyp: N-KANAL
Verlustleistung-Max (Abs): 460 W.
Qualifikationsstatus: Nicht qualifiziert
Unterkategorie: Isolierte Gate-BIP-Transistoren
Aufputz: NR
Terminalform: NICHT SPEZIFIZIERT
Anschlussposition: OBER
Pbfree Code: Ja
Teilelebenszykluscode: Nicht empfohlen
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Teilepaketcode: MODUL
Paketbeschreibung: MODUL-7
Pin-Anzahl: 7
ECCN-Code: EAR99
Hersteller: Infineon Technologies AG
Risikorang: 7.57
Gehäuseverbindung: ISOLIERT
Sammler Strom-Max (IC): 115 A
Sammler-Emitter Spannung-Max: 1200 V.
Konfiguration: SERIE ANGESCHLOSSEN, ZENTRUM, 2 ELEMENTE MIT EINGEBAUTER DIODE
Gate-Emitter Spannung-Max: 20 V.
JESD-30-Code: R-XUFM-X7
Anzahl der Elemente: 2
Anzahl der Terminals: 7
Betriebstemperatur-Max: 150 ° C.
Verpackungskörpermaterial: NICHT SPEZIFIZIERT
Verpackungsform: RECHTECKIG
Verpackungsstil: FLANSCHHALTERUNG
Reflow-Spitzentemperatur (Cel): NICHT ANGEGEBEN
Polarität / Kanaltyp: N-KANAL
Verlustleistung-Max (Abs): 460 W.
Qualifikationsstatus: Nicht qualifiziert
Unterkategorie: Isolierte Gate-BIP-Transistoren
Aufputz: NR
Terminalform: NICHT SPEZIFIZIERT
Anschlussposition: OBER
Bipolartransistor mit isoliertem Gate 115A I (C) 1200 V V (BR) CES N-Kanal-MODUL-7