#BSM50GB120DLC EUPEC BSM50GB120DLC New Insulated Gate Bipolare Transistor 115A I(C) 1200V V(BR)CES Canale N MODULO-7, immagini BSM50GB120DLC, prezzo BSM50GB120DLC, fornitore #BSM50GB120DLC
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E-mail: sales@shunlongwei.com
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Codice articolo produttore: BSM50GB120DLC
Codice Pbfree: Sì
Codice del ciclo di vita della parte: non consigliato
Ihs Produttore: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Codice confezione parte: MODULO
Descrizione del pacchetto: MODULE-7
Numero pin: 7
Codice ECCN: EAR99
Produttore: Infineon Technologies AG
Grado di rischio: 7.57
Collegamento case: ISOLATO
Collettore Corrente-Max (IC): 115 A
Collettore-Emettitore voltaggio-Max: 1200 V
Configurazione: SERIE CONNESSA, RUBINETTO CENTRALE, 2 ELEMENTI CON DIODO INCORPORATO
Porta-emettitore voltaggio-Max: 20 V
Codice JESD-30: R-XUFM-X7
Numero di elementi: 2
Numero di terminali: 7
Temperatura di esercizio-Max: 150 ° C
Materiale del corpo del pacchetto: non specificato
Forma del pacchetto: RETTANGOLARE
Stile pacchetto: ATTACCO A FLANGIA
Temperatura di riflusso di picco (Cel): NON SPECIFICATA
Polarità / Tipo di canale: N-CHANNEL
Dissipazione di potenza-Max (Abs): 460 W.
Stato della qualifica: non qualificato
Sottocategoria: Transistor BIP con gate isolato
Montaggio superficiale: NO
Modulo terminale: non specificato
Posizione terminale: SUPERIORE
Codice Pbfree: Sì
Codice del ciclo di vita della parte: non consigliato
Ihs Produttore: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Codice confezione parte: MODULO
Descrizione del pacchetto: MODULE-7
Numero pin: 7
Codice ECCN: EAR99
Produttore: Infineon Technologies AG
Grado di rischio: 7.57
Collegamento case: ISOLATO
Collettore Corrente-Max (IC): 115 A
Collettore-Emettitore voltaggio-Max: 1200 V
Configurazione: SERIE CONNESSA, RUBINETTO CENTRALE, 2 ELEMENTI CON DIODO INCORPORATO
Porta-emettitore voltaggio-Max: 20 V
Codice JESD-30: R-XUFM-X7
Numero di elementi: 2
Numero di terminali: 7
Temperatura di esercizio-Max: 150 ° C
Materiale del corpo del pacchetto: non specificato
Forma del pacchetto: RETTANGOLARE
Stile pacchetto: ATTACCO A FLANGIA
Temperatura di riflusso di picco (Cel): NON SPECIFICATA
Polarità / Tipo di canale: N-CHANNEL
Dissipazione di potenza-Max (Abs): 460 W.
Stato della qualifica: non qualificato
Sottocategoria: Transistor BIP con gate isolato
Montaggio superficiale: NO
Modulo terminale: non specificato
Posizione terminale: SUPERIORE
Transistor bipolare a gate isolato 115A I (C) 1200V V (BR) CES N-Channel MODULE-7