GaN Systems stellt neue leistungsstärkere und kostengünstigere Transistoren vor

Update: 11. August 2021

GaN Systems stellt neue leistungsstärkere und kostengünstigere Transistoren vor

GaN Systems stellt neue leistungsstärkere und kostengünstigere Transistoren vor

GaN Systems, der Spezialist für GaN-Leistungshalbleiter, hat zwei neue Transistoren in das derzeit branchenweit breiteste Portfolio an GaN-Leistungstransistoren aufgenommen.

Diese neuen Transistoren sind in einem standardmäßigen 8×8 mm PDFN-Gehäuse verpackt. Mit dem GS-065-011-2-L können Benutzer die Kosten pro gelieferter Leistung in 45- bis 150-W-Anwendungen reduzieren, während das GS-065-030-2-L das erste GaN-Produkt auf dem Markt ist, das es Designern ermöglicht, die Vorteile von kostengünstigem GaN in Anwendungen bis zur Leistungsstufe 3,000 W.

Diese neuen Teile erweitern das Angebot des Unternehmens an kostengünstigen GaN-Transistoren, die es Designern ermöglichen, eine verbesserte Leistung in Bezug auf Effizienz, Wärmemanagement und Leistungsdichte zu liefern und gleichzeitig eine höhere Designflexibilität und Kosteneffizienz zu bieten, um die Anforderungen von Verbrauchern und Industrie zu erfüllen und Rechenzentrumskunden.

Diese Transistoren zeichnen sich durch einen geringeren Einschaltwiderstand, erhöhte Robustheit und thermische Leistung, eine höhere VDS-Bewertung (Transient) und einen branchenüblichen Formfaktor aus, der es den Kunden erleichtert, zu adaptieren, zu skalieren und zu vermarkten.

Der GS-065-011-2-L ist ein 650 V, 11 A, 150 mΩ bodenseitig gekühlt Transistor wurde für Unterhaltungselektronikanwendungen wie Ladegeräte und Adapter entwickelt, einschließlich Adapterdesigns mit höherer Leistung, die von den Vorteilen der Transistor's verbesserte thermische Leistung. Der GS-065-030-2-L ist ein 650 V, 30 A, 50 mΩ gekühlter Transistor auf der Unterseite mit dem niedrigsten RDS(on) in der PDFN-Produktfamilie von GaN Systems, was eine geringere Verlustleistung und eine höhere Nennleistung bedeutet in höhere Effizienz und Leistungsdichte.

Der GS-065-030-2-L GaN-Transistor ist für Rechenzentrums-, Industrie- und 5G-Anwendungen wie Telekommunikations- und Server-SMPS, Motorantriebe, Energiespeichersysteme und brückenlose Totempfahl-PFC-Lösungen vorgesehen.

„Mit diesen neuen GS-065-011-2-L- und GS-065-030-2-L-Produkten können unsere Kunden die Vorteile einer kleineren, effizienteren und kostengünstigeren Leistungselektronik nutzen“, sagte Jim Witham, CEO bei GaN Systems.