GaN Systemsは、新しい高性能、低コストのトランジスタを発表しました

GaNパワー半導体のスペシャリストであるGaNSystemsは、現在業界で最も幅広いGaNパワートランジスタのポートフォリオにXNUMXつの新しいトランジスタを導入しました。

これらの新しいトランジスタは、標準の8×8 mmPDFNパッケージにパッケージ化されています。 GS-065-011-2-Lを使用すると、45Wから150Wのアプリケーションで供給される電力のワットあたりのコストを削減できます。一方、GS-065-030-2-Lは、設計者が入手できる市場初のGaN製品です。 3,000Wまでの電力レベルのアプリケーションにおける低コストGaNの利点。

これらの新しい部品は、設計者が効率、熱管理、電力密度の面でパフォーマンスを向上させると同時に、消費者、産業の要求を満たすために設計の柔軟性と費用対効果を向上させるように設計された、同社の低コストGaNトランジスタの範囲を拡張します。 、およびデータセンターの顧客。

これらのトランジスタは、オン抵抗が低く、堅牢性と熱性能が向上し、VDS（トランジェント）定格が高く、業界標準のフォームファクタを備えているため、顧客の採用、拡張、および商品化が容易になります。

GS-065-011-2-Lは、650 V、11 A、150mΩの底面冷却式です。 トランジスタ 充電器やアダプターなどの家庭用電化製品アプリケーション向けに開発されました。これには、 トランジスタの改善された熱性能。 GS-065-030-2-Lは、650 V、30A、50mΩの底面冷却トランジスタで、GaN SystemsのPDFN製品ファミリの中で最も低いRDS（on）を備えています。これは、電力損失が低く、電力定格が高いことを意味します。より高い効率と電力密度で。

GS-065-030-2-L GaNトランジスタは、データセンター、産業用、およびテレコムおよびサーバーSMPS、モータードライブ、エネルギー貯蔵システム、ブリッジレストーテムポールPFCソリューションなどの5Gアプリケーションを対象としています。

「これらの新しいGS-065-011-2-LおよびGS-065-030-2-L製品により、お客様は、より小さく、より効率的で、より費用効果の高いパワーエレクトロニクスから得られるメリットを活用できます」とジムは述べています。 Witham、GaNSystemsのCEO。