Infineon BSM200GA12DN2 Auf Lager

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E-Mail: sales@shunlongwei.com

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Hersteller: Infineon

Produktkategorie: IGBT Module

RoHS: Details

Teilenummer: BSM200GB120DN2

Konfiguration: Single

Sammler-Emitter Spannung VCEO-Max.: 1200 V

Kollektor-Emitter-Sättigung Spannung: 2.5 V

Kontinuierlicher Kollektorstrom bei 25 ° C: 300 A

Gate-Emitter-Leckstrom: 200 k.A

Pd - Verlustleistung: 1550 W

Paket / Fall: 62mm

Minimale Betriebstemperatur: - 40 ° C

Maximale Betriebstemperatur: + 150 ° C.

Verpackung: Tablett

Größe: 36.5mm

Länge: 106.4mm

Technologie: Si

Breite: 61.4mm

Marke: Infineon Technologies

Montageart: Chassisbefestigung

Maximaler Gate-Emitter Spannung: 20 V

Produkttyp: IGBT Module

IGBT Leistungsmodul 1200V/300A/1400W

Shunlongwei prüfte jeden BSM200GA12DN2 vor dem Versand, alle BSM200GA12DN2 mit 6 Monaten Garantie.