Infineon BSM200GA12DN2 มีในสต็อก

#BSM200GA12DN2 Infineon BSM200GA12DN2 ใหม่ IGBT พลัง โมดูล 1200V/300A/1400W, รูปภาพ BSM200GA12DN2, ราคา BSM200GA12DN2, #BSM200GA12DN2
-----------------------
อีเมล: sales@shunlongwei.com

https://www.slw-ele.com/bsm200ga12dn2.html

-----------------------

ผู้ผลิต: Infineon

ประเภทสินค้า: IGBT โมดูล

RoHS: รายละเอียด

หมายเลขชิ้นส่วน: BSM200GB120DN2

การกำหนดค่า: เดียว

นักสะสม - ตัวปล่อย แรงดันไฟฟ้า VCEO สูงสุด: V 1200

ความอิ่มตัวของคอลเลคเตอร์-อิมิตเตอร์ แรงดันไฟฟ้า: V 2.5

กระแสสะสมอย่างต่อเนื่องที่ 25 C: 300

Gate-Emitter กระแสไฟรั่ว: 200 นาโนเมตร

Pd - กำลังงานสูญเสีย: W 1550

แพ็คเกจ / เคส: 62 มม

อุณหภูมิการทำงานขั้นต่ำ: - 40 องศาเซลเซียส

อุณหภูมิในการทำงานสูงสุด: + 150 ° C

บรรจุภัณฑ์: ถาด

ความสูง: 36.5 มม

ความยาว: 106.4 มม

เทคโนโลยี: Si

ความกว้าง: 61.4 มม

ยี่ห้อ: เทคโนโลยี Infineon

รูปแบบการติด: ติดที่ตัวเครื่อง

ตัวปล่อยประตูสูงสุด แรงดันไฟฟ้า: V 20

ประเภทสินค้า: IGBT โมดูล

IGBT โมดูลพลังงาน 1200V/300A/1400W

Shunlongwei ตรวจสอบ BSM200GA12DN2 ทุกเครื่องก่อนจัดส่ง BSM200GA12DN2 ทั้งหมดพร้อมการรับประกัน 6 เดือน