#BSM200GB60DLC Infineon BSM200GB60DLC Neu 200A / 600V /IGBT/ 2U; IGBT-Module 600V 200A DUAL, BSM200GB60DLC-Bilder, BSM200GB60DLC-Preis, # BSM200GB60DLC-Lieferant
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Email: sales@shunlongwei.com
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BSM200GB60DLC
Hersteller: Infineon
Produktkategorie: IGBT-Module
RoHS: JA
Marke: Infineon Technologies
Produkt: IGBT-Siliziummodule
Konfiguration: Dual
Sammler-Emitter Spannung VCEO max: 600 V.
Kollektor-Emitter-Sättigung Spannung: 1.95 V
Kontinuierlicher Kollektorstrom bei 25 ° C: 230 A.
Gate-Emitter-Leckstrom: 400 nA
Pd - Verlustleistung: 445 W.
Paket/Gehäuse: 34 mm
Maximale Betriebstemperatur: + 125 C
Verpackung: Tablett
Maximaler Gate-Emitter Spannung: +/- 20 V
Minimale Betriebstemperatur: - 40 C.
Montagestil: Schraube
Factory Pack Menge: 10
200A / 600V / IGBT / 2U; IGBT-Module 600V 200A DUAL
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